[发明专利]一种具有转移信号功能的3D芯片冗余硅通孔容错结构

权利要求书

1.一种具有转移信号功能的3D芯片冗余硅通孔容错结构，其特征是，所述3D芯片包括上层晶片（1）和下层晶片（2）；所述上层晶片（1）和下层晶片（2）上均设置有纵横排成多行多列的圆孔（3）；上层晶片（1）的圆孔（3）和下层晶片（2）的圆孔（3）上下一一对应，上层晶片（1）和下层晶片（2）的每一对相对应的圆孔（3）之间通过一个硅通孔（4）相连接；在上层晶片（1）和下层晶片（2）上，每个硅通孔（4）的端部都通过一个多路选择器（5）与一个信号传输端子（6）相连接；

所述上晶片（1）上设置有两个上层晶片交叉开关，分别为第一上层晶片交叉开关（7）和第二上层晶片交叉开关（8）；所述下层晶片（2）上设置有两个下层晶片交叉开关，分别为第一下层晶片交叉开关（9）和第二下层晶片交叉开关（10）；所述上层晶片（1）的多路选择器（5）均与所述两个上层晶片交叉开关相连接；所述下层晶片（2）的多路选择器（5）均与所述两个下层晶片交叉开关相连接；

所述第一上层晶片交叉开关（7）通过两个冗余硅通孔（11）与第一下层晶片交叉开关（9）相连接，所述第二上层晶片交叉开关（8）通过两个冗余硅通孔（11）与第二下层晶片交叉开关（10）相连接。

2.根据权利要求1所述的一种具有转移信号功能的3D芯片冗余硅通孔容错结构，其特征是，所述多选择器（5）为3选1多路选择器，包括4个非门、3个与门和3个三态门；多路选择器（5）包括两个控制信号输入端S0和S1、三个信号输入端A、B和C和一个信号输出端D。