[发明专利]包含鳍式场效电晶体装置的集成电路及其制造方法

权利要求书

1.一种制造集成电路的方法，包含：

形成彼此毗邻地从半导体基板延伸的第一鳍片与第二鳍片；

在该第一及该第二鳍片上选择性磊晶成长含硅材料，以形成覆于该第一鳍片的第一上半段上的第一磊晶部以及覆于该第二鳍片的第二上半段上的第二磊晶部，其中，该第一及该第二磊晶部彼此隔开；

形成覆于该第一磊晶部上的第一硅化物层以及覆于该第二磊晶部上的第二硅化物层，其中，该第一及该第二硅化物层彼此隔开以定义横向间隙；

沉积覆于该第一及该第二硅化物层上的介电材料，以形成跨越该横向间隙的介电间隔体；

移除覆于该第一及该第二硅化物层横向在该介电间隔体上方的部分上的该介电材料，并且使该介电间隔体保持完整；以及

沉积覆于该介电间隔体及该第一及该第二硅化物层的该等部分上的接触形成材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成该第一及该第二硅化物层包括：形成具有一厚度使得该横向间隙为约3至约7纳米的该第一及该第二硅化物层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积该介电材料包括：沉积包含掺杂碳原子(C)、氮原子(N)、氧原子(O)或彼等的组合的氮化硅(SiN)的该介电材料。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积该介电材料包括：使用原子层沉积(ALD)制程沉积该介电材料。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，移除该介电材料包括：使用电浆蚀刻制程移除该介电材料。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，移除该介电材料包括：使用湿蚀刻制程移除该介电材料。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积该接触形成材料包括：沉积包括钨的该接触形成材料。

8.一种制造集成电路的方法，包含：

形成彼此毗邻地从半导体基板延伸的第一鳍片与第二鳍片；

在该第一及该第二鳍片上选择性磊晶成长含硅材料，以形成配置于该第一鳍片的第一上半段上的第一菱形截面磊晶部以及配置于该第二鳍片的第二上半段上的第二菱形截面磊晶部，其中，该第一菱形截面磊晶部具有第一上表面与第一下表面，以及该第二菱形截面磊晶部具有第二上表面与第二下表面，以及其中，该第一及该第二菱形截面磊晶部彼此隔开；

形成沿着该第一菱形截面磊晶部的该第一上表面及该第一下表面的第一硅化物层，以及沿着该第二菱形截面磊晶部的该第二上表面及该第二下表面的第二硅化物层，其中，该第一及该第二硅化物层彼此隔开以定义横向间隙；

沉积覆于该第一及该第二硅化物层上的介电材料，以形成封闭该横向间隙的介电间隔体；

蚀刻该介电材料，以暴露该第一及该第二硅化物层各自覆于该第一及该第二菱形截面磊晶部的该第一及该第二上表面上的上半部，并且使该介电间隔体保持完整；

沉积由绝缘材料组成的ILD层，其覆于该介电间隔体及该第一及该第二硅化物层上的该等上半部；

蚀刻该ILD层以形成穿过该ILD层的接触开口，以暴露该第一及该第二硅化物层的该等上半部；以及

沉积接触形成材料于该接触开口内。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，该第一及该第二硅化物层各自具有覆于该第一及该第二菱形截面磊晶部的该第一及该第二下表面上的下半部，以及其中，沉积该介电材料包括：

形成覆于该第一硅化物层的该上及该下半部上的第一电介质膜；以及

形成覆于该第二硅化物层的该上及该下半部上的第二电介质膜。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，沉积该介电材料包括：

形成具有各自覆于该第一硅化物层的该上及该下半部上的第一电介质膜上半段及第一电介质膜下半段的该第一电介质膜，其中，该第一电介质膜上半段比该第一电介质膜下半段厚；以及

形成具有各自覆于该第二硅化物层的该上及该下半部上的第二电介质膜上半段及第二电介质膜下半段的该第二电介质膜，其中，该第二电介质膜上半段比该第二电介质膜下半段厚。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，沉积该介电材料包括：形成各自具有约5至约15纳米的厚度的该第一及该第二电介质膜上半段。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，沉积该介电材料包括：形成各自具有约2至约7纳米的厚度的该第一及该第二电介质膜下半段。