[发明专利]封闭的MEMS器件的内部电接触

权利要求书

1.一种MEMS器件，包括：

一个MEMS衬片，该MEMS衬片包括一个第一半导体层、一个第二半导体层、以及在二者之间的一个介电层，该第一半导体层具有第一表面和第二表面，其中该第一表面与该介电层接触；

其中由该第二半导体层形成多个MEMS结构并且这些MEMS结构包括多个第一导电垫片；

一个基底衬片，该基底衬片包括在其上的多个第二导电垫片，其中这些第二导电垫片被连接到这些第一导电垫片上；以及

一个导电连接件，该导电连接件是仅穿过该介电层、该第二半导体层以及该第一半导体层的该第一表面而形成的，以便提供在该第一半导体层与该第二半导体层之间的电耦联，由此使该基底衬片电连接到该第二半导体层以及该第一半导体层上。

2.如权利要求1所述的MEMS器件，其中，该多个第一导电垫片包含锗。

3.如权利要求1所述的MEMS器件，其中，该多个第二导电垫片包含铝。

4.如权利要求1所述的MEMS器件，其中，该MEMS衬片包含一个或多个蚀刻的通孔，这些蚀刻的通孔填充有导电材料以形成该导电连接件。

5.如权利要求4所述的MEMS器件，其中，该一个或多个蚀刻的通孔是穿过该第二半导体层以及该介电层二者而形成的。

6.如权利要求1所述的MEMS器件，进一步包括一个密封环，该密封环包括一个连续的环以形成环绕这些MEMS结构的一个封闭构造，并且该密封环是由这些第一导电垫片之一与这些第二导电垫片之一的一种连接来形成的。

7.如权利要求6所述的MEMS器件，其中，该第一导电垫片被电连接到该第一半导体层上。

8.如权利要求6所述的MEMS器件，其中，该第一导电垫片未被电连接到该第一半导体层上。

9.如权利要求6所述的MEMS器件，其中，该导电连接件是定位在该密封环的封闭构造之内。

10.如权利要求6所述的MEMS器件，其中，该导电连接件是定位在该密封环的封闭构造之外。

11.如权利要求6所述的MEMS器件，其中，该导电连接件是定位在该密封环之内。

12.如权利要求1所述的MEMS器件，其中，在该第一导电垫片与该第二导电垫片之间的连接是一种共晶接合。

13.如权利要求1所述的MEMS器件，其中，这些MEMS结构与该第一半导体层是电隔离的。

14.如权利要求4所述的MEMS器件，其中，填充该一个或多个蚀刻的通孔的导电材料包含多晶硅、锗、和钨中的任意一种。

15.如权利要求4所述的MEMS器件，其中，填充该一个或多个蚀刻的通孔的导电材料包含铝、钛、和氮化钛中的任意一种。

16.如权利要求6所述的MEMS器件，其中，该密封环提供一种密闭式密封。

17.如权利要求1所述的MEMS器件，其中，该第一半导体层面向该第二半导体层的表面包括在其中的多个空穴。

18.如权利要求1所述的MEMS器件，其中，该第一半导体层以及该第二半导体层包含单晶硅材料类或者多晶硅材料类中的任意一种。

19.一种在集成的MEMS器件中制作电连接的方法，该方法包括：

形成一个MEMS衬片，而形成该MEMS衬片包括：

在一个第一半导体层上形成一个或多个空穴；

借助一个介电层将该第一半导体层接合在一个第二半导体层上，而该介电层被置于该第一半导体层与该第二半导体层之间；

蚀刻出穿透该第二半导体层以及该介电层的至少一个通孔；

在该第二半导体层的表面上沉积一种导电材料并且填充该至少一个通孔；

在该导电材料的顶面沉积一个锗层；

对该锗层以及该导电材料形成图案并且进行蚀刻，以形成至少一个托脚；

对该第二半导体层形成图案并且进行蚀刻以限定一个或多个MEMS结构；并且

使用在该MEMS衬片的锗层与一个基底衬片的多个铝垫片之间的一种共晶接合将该MEMS衬片接合到该基底衬片上。

20.如权利要求19所述的方法，其中，该接合是一种熔融接合。