[发明专利]四氯化硅的处理工艺

权利要求书

1.一种四氯化硅的处理工艺，包括如下步骤：

预热，氢气在氢气预热器内预热后，进入四氯化硅气化器；

混合，四氯化硅和氢气进入四氯化硅气化器混合后，通过外供蒸汽加热气化后，进入进出气换热器；

换热，进入出入器换热器的四氯化硅、氢气混合气体与来自氢化反应器的反应生成气换热；

加热，四氯化硅、氢气混合气体换热后再进入电加热器加热；

冷氢化，加热后的四氯化硅、氢气混合气体进入氢化反应器与其中的硅粉发生反应，反应生成气最终导出到进出气换热器中与入料的四氯化硅、氢气混合气体换热。

2.如权利要求1所述的四氯化硅的处理工艺，其特征在于，在进出气换热器内换热后的反应生成气再进入用于预热四氯化硅的四氯化硅预热器预热四氯化硅，预热后的四氯化硅进入四氯化硅气化器内气化。

3.如权利要求2所述的四氯化硅的处理工艺，其特征在于，还包括冷凝步骤，从四氯化硅预热器出来的反应生成气进入冷凝系统，通过与低温冷媒的换热，将三氯氢硅、四氯化硅的混合氯硅烷冷凝成液体。

4.如权利要求3所述的四氯化硅的处理工艺，其特征在于，还包括分离步骤，冷凝后的混合氯硅烷送入分离系统进行分离；不凝气体氢气送回氢气预热器中重新回收利用。

5.如权利要求1所述的四氯化硅的处理工艺，其特征在于，冷氢化过程包括首次冷氢化步骤，经过电加热器加热后的四氯化硅、氢气混合气体进入第一氢化反应器进行氢化反应。

6.如权利要求5所述的四氯化硅的处理工艺，其特征在于，首次冷氢化还包括过滤步骤，从第一氢化反应器中出来的反应生成气进入第一硅粉过滤器过滤。

7.如权利要求6所述的四氯化硅的处理工艺，其特征在于，还包括二次冷氢化步骤，从第一硅粉过滤器导出的反应生成气进入第二氢化反应器中反应，从第二氢化反应器中导出的反应生成气进入第二硅粉过滤器中过滤掉硅粉。

8.如权利要求7所述的四氯化硅的处理工艺，其特征在于，还包括第三次冷氢化步骤，从第二硅粉过滤器中导出的反应生成气进入第三氢化反应器中反应，并由第三硅粉过滤器过滤掉硅粉。

9.如权利要求8所述的四氯化硅的处理工艺，其特征在于，经过第三硅粉过滤器过滤掉硅粉后的反应生成气进入进出气换热器中换热。

10.如权利要求1所述的四氯化硅的处理工艺，其特征在于，在加热步骤中，四氯化硅、氢气混合气体换热后再进入电加热器加热到600℃。