[发明专利]漏电侦测方法及存储器在审

专利信息
申请号: 201410044784.8 申请日: 2014-02-07
公开(公告)号: CN104835533A 公开(公告)日: 2015-08-12
发明(设计)人: 陈科仲;陈映仁;沈欣彰 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: G11C29/04 分类号: G11C29/04
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 漏电 侦测 方法 存储器
【权利要求书】:

1.一种漏电侦测方法,包括:

施加一测试电压至一字线,该测试电压介于1伏特至5伏特之间;以及

将该测试电压自该字线移除后,根据该字线的一电压变化,鉴别该字线的漏电状态。

2.根据权利要求1所述的漏电侦测方法,其中该鉴别步骤,包括:

当该字线的一字线电压到达一默认电平,将该测试电压自该字线移除,并维持一预设时间;

于该默认时间过后,读取该字线电压;

比较该字线电压与该参考电压;以及

当该字线的电压小于该参考电压,将该存储区块标示为一故障区。

3.根据权利要求2所述的漏电侦测方法,其中该参考电压介于0.9伏特至4.9伏特之间。

4.根据权利要求2所述的漏电侦测方法,其中该预设时间介于10微秒至2毫秒之间。

5.一种漏电侦测方法,包括:

对一存储区块执行擦除操作后,施加一测试电压至一字线,该字线耦接至该存储区块;

当该字线的一字线电压到达一默认电平,将该测试电压自该字线移除,并维持一预设时间;

于该默认时间过后,读取该字线电压;

根据该字线电压及一参考电压,鉴别该字线的一漏电状态;以及

当该漏电状态异常,则不对该存储区块执行一编程操作。

6.根据权利要求5所述的漏电侦测方法,其中该测试电压介于1伏特至5伏特之间。

7.根据权利要求5所述的漏电侦测方法,其中该参考电压介于0.9伏特至4.9伏特之间。

8.根据权利要求5所述的漏电侦测方法,其中该预设时间介于10微秒至2毫秒之间。

9.一种存储器,包括:

一存储区块;

一字线,耦接于该存储区块;

一电压产生器,用以提供一测试电压;

一开关电路;

一比较器;以及

一控制逻辑,用以控制该开关电路电性连接该字线与该电压产生器,使得该测试电压施加至该字线,当该字线电压到达一默认电平,该控制逻辑控制该开关电路将该字线与该电压产生器分离,并维持一预设时间,于该预设时间过后,该控制逻辑控制该开关电路电性连接该字线与该比较器,使得该比较器读取该字线电压,该比较器根据该字线电压及一参考电压,鉴别该字线的漏电状态。

10.根据权利要求9所述的存储器,其中该比较器比较该字线电压与该参考电压,当该字线的电压小于该参考电压,该比较器鉴别该漏电状态异常。

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