[发明专利]一种馈通电压补偿电路及其像素电路在审

专利信息
申请号: 201410044916.7 申请日: 2014-02-07
公开(公告)号: CN103744209A 公开(公告)日: 2014-04-23
发明(设计)人: 侯冠州 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: G02F1/133 分类号: G02F1/133;G02F1/1362;G02F1/1368;G09G3/36
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国;田景宜
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 一种 通电 补偿 电路 及其 像素
【权利要求书】:

1.一种馈通电压补偿电路,适于补偿薄膜晶体管的栅极与漏极间的寄生电容所引起的馈通电压,其特征在于,所述馈通电压补偿电路包括:

一补偿电容,具有一第一端和一第二端,所述补偿电容的第一端电性耦接至薄膜晶体管的漏极;以及

一补偿电压,其一端电性耦接至所述补偿电容的第二端,另一端电性耦接至一共通电压,

其中,所述补偿电容与所述补偿电压的乘积等于所述寄生电容与一电压阈值的乘积,所述电压阈值为所述薄膜晶体管的栅极线高电压与栅极线低电压之间的电压差值。

2.根据权利要求1所述的馈通电压补偿电路,其特征在于,所述栅极线高电压驱动所述薄膜晶体管时,所述补偿电压为零;所述栅极线低电压驱动所述薄膜晶体管时,所述补偿电压开启。

3.根据权利要求1所述的馈通电压补偿电路,其特征在于,该补偿电容的尺寸和形状与该寄生电容的尺寸和形状完全相同。

4.根据权利要求1所述的馈通电压补偿电路,其特征在于,所述补偿电容为第一金属层与第二金属层形成的垂直电容。

5.根据权利要求1所述的馈通电压补偿电路,其特征在于,所述补偿电容为第一金属层与铟锡氧化物层形成的垂直电容。

6.根据权利要求1所述的馈通电压补偿电路,其特征在于,所述补偿电容为第二金属层与铟锡氧化层形成的垂直电容。

7.根据权利要求1所述的馈通电压补偿电路,其特征在于,所述补偿电容为第二金属层形成的横向电容。

8.根据权利要求7所述的馈通电压补偿电路,其特征在于,所述补偿电容为环状的第二金属层所形成的横向电容。

9.一种薄膜晶体管液晶显示器的像素电路,其特征在于,所述像素电路包括:

一薄膜晶体管,具有一第一端、一第二端和一控制端,所述薄膜晶体管的第一端电性耦接至一数据线,所述薄膜晶体管的控制端电性耦接至一栅极线;

一液晶电容,其一端电性耦接至所述薄膜晶体管的第二端,另一端电性耦接至一共通电压;

一存储电容,其一端电性耦接至所述薄膜晶体管的第二端,另一端电性耦接至所述共通电压;以及

一馈通电压补偿电路,包括串联连接的一补偿电容和一补偿电压,所述补偿电路的一端电性耦接至所述薄膜晶体管的第二端,所述补偿电压的一端电性耦接至所述共通电压,其中所述补偿电容与所述补偿电压的乘积等于所述寄生电容与一电压阈值的乘积,所述电压阈值为所述薄膜晶体管的栅极线高电压与栅极线低电压之间的电压差值。

10.根据权利要求9所述的像素电路,其特征在于,所述补偿电容为第一金属层与第二金属层形成的垂直电容、第一金属层与铟锡氧化物层形成的垂直电容、第二金属层与铟锡氧化物层形成的垂直电容、或者环状的第二金属层所形成的横向电容。

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