[发明专利]一种热插拔保护线路系统有效
申请号: | 201410044950.4 | 申请日: | 2014-02-07 |
公开(公告)号: | CN103777554B | 公开(公告)日: | 2017-01-25 |
发明(设计)人: | 王武军 | 申请(专利权)人: | 浪潮(北京)电子信息产业有限公司 |
主分类号: | G05B19/042 | 分类号: | G05B19/042 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司11262 | 代理人: | 王丹,栗若木 |
地址: | 100085 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 热插拔 保护 线路 系统 | ||
1.一种热插拔Hot Swap保护线路系统,其特征在于,包括多个集成电路、主机模块;其中各所述集成电路分别包括:保护模块、开关模块、控制开关模块、控制接口模块;所述控制接口模块通过总线与所述主机模块互连;
所述开关模块的输入端与集成电路外部的负载电源连接,所述开关模块的输出端与集成电路外部的负载连接;
所述保护模块用于对所述开关模块的参数值进行实时检测,把检测结果输送到控制接口模块,还用于对检测结果进行判断,如果检测结果超出标准值的范围,则向所述控制接口模块发送请求保护动作指令;
所述控制接口模块用于接收所述保护模块发送的请求保护动作指令后,向所述控制开关模块发送保护动作指令,记录故障消息,向主机模块发送故障消息,其中携带所在的集成电路的地址;
所述控制开关模块用于控制所述开关模块的导通与关断;当控制开关模块接收到所述控制接口模块的保护动作指令,控制所述开关模块的输入端与输出端的关断;
所述主机模块用于存储发生故障的集成电路的地址。
2.如权利要求1所述的系统,其特征在于,所述开关模块为金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET;所述MOSFET的源极作为开关模块的输入端与所述负载相连,漏极作为开关模块的输出端与所述负载电源连接。
3.如权利要求1所述的系统,其特征在于,所述保护模块包含电流传感器、过流保护OCP模块;
所述电流传感器用于检测所述开关模块的电流值,将电流值转换为电信号传送给所述OCP模块;
所述OCP模块用于转发所述电流传感器检测的电信号给所述控制接口模块,并判断所述电信号是否超过电流的标准值,如果超过电流的标准值,向所述控制接口模块上报请求保护动作指令。
4.如权利要求1所述的系统,其特征在于,所述保护模块包括过压保护OVP模块,所述OVP模块用于检测所述开关模块的输入端或输出端电压,判断所述输入端或输出端电压是否超过输入电压或输出电压的标准值的上限,如果超过输入电压或输出电压的标准值的上限,向所述控制接口模块发送请求保护动作指令。
5.如权利要求1所述的系统,其特征在于,所述保护模块包括输入端欠压保护VIN UVLO模块;所述VIN UVLO模块用于检测开关模块输入端的电压,当所述输入端电压低于输入电压的标准值的下限时,向所述控制接口模块发送请求保护动作指令。
6.如权利要求1所述的系统,其特征在于,所述保护模块包括欠压保护VDD UVLO模块,所述VDD UVLO模块用于检测与外部集成电路电源相连的集成电路引脚VDD的电压,当引脚VDD的电压的值低于门限值时,向所述控制接口模块发送请求保护动作指令。
7.如权利要求2所述的系统,其特征在于,所述开关控制模块包括场效应晶体管FET控制模块和场效应晶体管FET驱动模块;所述场效应晶体管FET控制模块包括栅极驱动模块、栅极欠压保护Gate UVLO模块,启动欠压保护Boost UVLO模块、软启动模块;
所述栅极驱动模块用于设置所述开关模块的开启电压;
所述软启动模块用于限制所述开关模块的开启时间;
所述栅极欠压保护Gate UVLO模块用于对所述开关模块的栅极电压进行欠压保护;
所述启动欠压保护Boost UVLO模块用于对集成电路的引脚VBST进行欠压保护;
所述场效应晶体管FET驱动模块用于为所述开关模块提供驱动电压以驱使开关模块工作。
8.如权利要求1所述的系统,其特征在于,所述控制接口模块包括上电复位POR模块,所述POR模块用于存储故障信息,所述故障信息包括故障类型。
9.如权利要求1所述的系统,其特征在于,所述主机模块还用于存储每个集成电路的地址;所述主机模块通过PMBus总线与各个集成电路的控制接口模块连接;当收到集成电路发送的故障消息时,保存该故障消息并与相应集成电路的地址对应。
10.如权利要求1所述的系统,其特征在于,所述集成电路内部还包括温度传感器,所述温度传感器检测所述开关模块的工作温度,将所述温度值作为电信号传输到控制接口模块。
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