[发明专利]半导体器件和用于制造半导体器件的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件和用于制造半导体器件的方法。具体而言，该方法可以包括激光切片工艺。

背景技术

半导体器件在它们的背侧上可以包括金属化。在生产半导体器件的过程中，可以使用激光辐射分割半导体材料。关于这一点，可以采用激光切片工艺。半导体器件和用于制造半导体器件的方法持续需要改进。具体而言，可能期望提供成本高效的用于制造半导体器件的方法和改进所制造的半导体器件的质量。

发明内容

鉴于前述背景技术，因此本发明的目的在于提供一种至少部分地克服上述技术问题的技术方案。

根据本发明的第一方面，提供一种器件，包括：半导体芯片，包括第一主面和第二主面，所述第二主面为所述半导体芯片的背侧，其中所述第二主面包括第一区域和第二区域，所述第二区域为所述第二主面的外围区域；介电材料，布置在所述第二区域之上；以及导电材料，布置在所述第一区域之上。

根据本发明的第二方面，提供一种器件，包括：半导体芯片，包括第一主面和第二主面；其中所述第二主面为所述半导体芯片的背侧；其中所述第二主面包括第一区域和第二区域，所述第二区域为所述第二主面的外围区域；以及其中所述半导体芯片在所述第一区域处的材料结构不同于所述半导体芯片在所述第二区域处的材料结构。

根据本发明的第三方面，提供一种器件，包括：半导体芯片，包括第一主面和第二主面，所述第二主面为所述半导体芯片的背侧，其中所述第二主面包括第一区域和第二区域，所述第二区域为所述第二主面的外围区域，并且其中所述第一区域的水平面不同于所述第二区域的水平面；以及导电材料，布置在所述第一区域之上。

根据本发明的第四方面，提供一种方法，包括：提供半导体晶片，包括第一主面和第二主面，其中所述第二主面为所述半导体晶片的背侧；激光切片所述半导体晶片；以及在激光切片所述半导体晶片之后，将导电材料布置在所述第二主面之上。

通过使用根据本发明的实施例可以至少获得部分的对应有益效果。

附图说明

包括附图用于提供对各方面的进一步理解，并且将附图并入本说明书中，构成本说明书的一部分。附图图示了各方面并且与描述一起用于解释各方面的原理。将容易地理解到其它方面和各方面的许多期望优势，因为通过参考下面的详细描述变得更好理解。附图的要素不一定相对彼此成比例。类似的参考标号可以标示对应的类似部分。

图1是示意性地图示了根据本公开的器件100的截面图；

图2A至图2C示意性地图示了根据本公开的方法的截面图；

图3A至图3I示意性地图示了根据本公开的用于制造器件300的方法的截面图；

图4A至图4E示意性地图示了根据本公开的用于制造器件400的方法的截面图；

图5A至图5E示意性地图示了根据本公开的用于制造器件500的方法的截面图；

图6示意性地图示了根据本公开的器件600的截面图；以及

图7示意性地图示了根据本公开的器件700的截面图。

具体实施方式

在下面的详细描述中参照附图，附图构成其一部分，并且在附图中通过图示的方式示出了其中可以实施本发明的特定方面。关于这一点，参照所描述的图的方向，可以使用定向术语诸如“顶部”、“底部”、“前侧”、“背侧”等。由于所描述的器件的部件可以定位在很多不同方向上，所以为图示目的可以使用定向术语，并且定向术语决不进行任何限制。应明白，在不脱离本发明的范围的情况下，可以利用其它方面并且可以进行结构或逻辑的改变。因此，下面的详细描述不是在限制的意图下进行的，并且本发明的范围由所附权利要求限定。

应明白，这里描述的各种示例性方面的特征可以彼此组合，除非另外特别指出。

如本说明书中所采用的，术语“耦合”和/或“电耦合”并不意味着是指元件必需直接耦合在一起。可以在“耦合”或“电耦合”的元件之间提供中间元件。