[发明专利]MOS晶体管的制作方法有效
| 申请号： | 201410045265.3 | 申请日： | 2014-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN104821276B | 公开（公告）日： | 2018-08-10 |
| 发明（设计）人： | 何永根 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 制作方法 | ||
1.一种MOS晶体管的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底上形成高K栅介电层，所述高K栅介电层的初始厚度大于目标厚度,所述初始厚度范围为所述目标厚度范围为
对所述高K栅介电层进行掺氮处理；
对所述高K栅介电层进行退火处理；
对掺氮处理后的所述高K栅介电层进行减薄处理以使剩余的所述高K栅介电层的厚度等于所述目标厚度；
在减薄后的所述高K栅介电层上形成金属栅极。
2.如权利要求1所述的MOS晶体管的制作方法，其特征在于，还包括：在形成所述高K栅介电层之前，在所述半导体衬底上形成界面层。
3.如权利要求2所述的MOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述界面层的材料为氧化硅或氮氧化硅，所述界面层的厚度范围为
4.如权利要求2所述的MOS晶体管的制作方法，其特征在于，还包括：在形成所述高K栅介电层之前，对所述界面层进行等离子体处理或化学处理以形成氢氧根富集的表面。
5.如权利要求1所述的MOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述退火处理的温度范围为400℃～800℃，时间为1s～120s；或者，所述退火处理的温度范围为800℃～1100℃，时间为2μs～200ms。
6.如权利要求1所述的MOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述掺氮处理为氮离子注入处理，注入能量为200ev～1500ev，注入剂量为1E14/cm2～1E17/cm2。
7.如权利要求1所述的MOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述掺氮处理为氮等离子体掺杂处理，功率为30w～3000w。
8.如权利要求1所述的MOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述减薄处理为干法刻蚀、湿法刻蚀或者两种的结合。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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