[发明专利]半导体器件的形成方法在审
| 申请号： | 201410045284.6 | 申请日： | 2014-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN104821281A | 公开（公告）日： | 2015-08-05 |
| 发明（设计）人： | 施林波;陈福成 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于：包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底中形成凹槽；
在所述凹槽中填充金属材料层；
采用车刀切割去除部分所述金属材料层，使得所述凹槽内的剩余金属材料层表面与所述半导体衬底表面齐平；
使两块所述半导体衬底键合连接，键合时将两块所述半导体衬底相对堆叠且两块半导体衬底内的金属材料层表面相互贴合。
2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述键合连接的工艺参数包括：温度为150～250℃，压强为3～7MPa，持续时间为20～60min。
3.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述车刀切割的工艺参数包括：控制刀具的主轴转速为1000～3500rpm，进刀量为10～30m/min，背刀量为0.5～3μm。
4.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述车刀切割采用的刀具的材料为金刚石。
5.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述车刀切割采用的刀具为圆形，且直径为2～5mm。
6.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述键合工艺后，还包括：进行退火工艺。
7.如权利要求6所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述退火工艺的温度大于键合工艺的温度。
8.如权利要求7所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述退火工艺的温度小于或等于300℃，退火时间为40～80min。
9.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述车刀切割后，还包括：清洗所述金属材料层。
10.如权利要求9所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，清洗所述金属材料层的清洗液包括柠檬酸溶液。
11.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述金属材料层为铜层，在所述凹槽中填充金属材料层的步骤包括：
在所述凹槽底部以及侧壁形成铜籽晶层；
采用电镀工艺在所述凹槽内填充满铜。
12.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，采用车刀切割去除部分所述金属材料层的步骤包括：使车刀切割后金属材料层表面的粗糙度Ra≤0.02μm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
