[发明专利]优化可变阻抗存储器单元格

权利要求书

1.一种包括至少一个可变阻抗存储器单元格的装置，所述至少一个可变阻抗存储器单元格由控制器配置非工厂操作参数，在所述至少一个可变阻抗存储器单元格中，响应于与预定阈值的所识别差异而分配所述非工厂操作参数。

2.如权利要求1所述的装置，其中，在存储用户数据之前，所述非工厂操作参数不同于和所述至少一个可变阻抗存储器单元格相关联的工厂操作参数。

3.如权利要求1所述的装置，其中，所述工厂操作参数存在于第一类型的可变阻抗存储器单元格中，以及所述非工厂操作参数存在于第二类型的可变阻抗存储器单元格中。

4.如权利要求3所述的装置，其中，第一类型的可变阻抗存储器单元格包括可编程金属化元件。

5.如权利要求4所述的装置，其中，第二类型的可变阻抗存储器单元格包括相变随机存取存储器单元格。

6.如权利要求5所述的装置，其中，第三种类型的可变阻抗存储器单元格包括阻抗随机存取存储器单元格。

7.如权利要求1所述的装置，其中，所述控制器包括评估引擎，所述评估引擎经配置以同时分析多个不同的存储器单元格的操作条件，以被动识别与所述预定阈值的差异。

8.如权利要求7所述的装置，其中，所述评估引擎使用数据提供模型生成器，以主动识别与所述预定阈值的差异。

9.如权利要求8所述的装置，其中，与所述预定阈值所识别差异对应于遵守预定阈值的至少一个可变阻抗存储器单元格。

10.一种方法，包括识别在至少一个可变阻抗存储器单元格中与预定阈值的差异，并且响应于与预定阈值的所识别差异，使用控制器的优化引擎部分向所述至少一个可变阻抗存储器单元格分配非工厂操作参数。

11.如权利要求10所述的方法，其中所述非工厂操作参数是编程电压和读取电压。

12.如权利要求10所述的方法，其中，所述优化引擎主动地生成非工厂操作参数。

13.如权利要求10所述的方法，其中，所述优化引擎被动地生成非工厂操作参数。

14.如权利要求10所述的方法，其中所述非工厂操作参数根据预测传输函数修改工厂操作参数。

15.如权利要求10所述的方法，其中所述非工厂操作参数相关于所观察比特率修改工厂操作参数。

16.如权利要求10所述的方法，其中所述优化引擎扫描通过所述至少一个可变阻抗存储器单元格的多个不同参考电压，以产生所述非工厂操作参数。

17.一种方法，包括：识别在第一可变阻抗存储器单元格中与预定阈值的差异，并响应于与预定阈值的所识别差异，使用控制器向所述第一可变阻抗存储器单元格分配第一非工厂操作参数。

18.如权利要求17所述的方法，其中所述第一可变阻抗存储器单元格在功能上由恢复电流改变，以及所述第一非工厂操作参数对应于改变的存储器单元格的功能。

19.如权利要求18所述的方法，其中，所述第一可变阻抗存储器单元具有改变的数据编程电压，作为恢复电流的结果。

20.如权利要求18所述的方法，其中第二可变阻抗存储器单元格由恢复电流改变以具有不同于所述第一非工厂操作参数的第二非工厂操作参数，所述第二可变阻抗存储器单元格物理上邻近所述第一可变阻抗存储器单元格并与所述预定阈值没有变化。