[发明专利]显示面板及其制作方法有效
申请号: | 201410045456.X | 申请日: | 2014-02-08 |
公开(公告)号: | CN103779389A | 公开(公告)日: | 2014-05-07 |
发明(设计)人: | 詹启舜;洪仕馨;杨志仁;黄丰裕;李孟庭 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制作方法 | ||
1.一种显示面板,包括:
基板;
发光显示阵列,设置于该基板上;
封装膜层,设置于该基板上并包覆该发光显示阵列;
辅助层(auxiliary layer),设置于该封装膜层上,其中该辅助层具有平坦上表面,且该辅助层的萧氏硬度(shore hardness)值实质上介于D4至D60之间;
光学膜,设置于该辅助层上;以及
光学胶,设置于该辅助层的该平坦上表面与该光学膜之间,用以粘着该辅助层与该光学膜。
2.如权利要求1所述的显示面板,其中该辅助层的弹性系数(Modulus ofElasticity)实质上介于10兆帕(MPa)至3000兆帕之间。
3.如权利要求1所述的显示面板,其中该辅助层的厚度实质上是介于2微米至50微米之间。
4.如权利要求1所述的显示面板,其中该辅助层包括一胶材(sealing material)。
5.如权利要求4所述的显示面板,其中该胶材包括热固型胶材(thermal curable sealing material)、光固型胶材(photo curable sealing material)、非UV非热固化型胶材或复合型胶材(hybrid sealing material)。
6.如权利要求1所述的显示面板,其中该封装膜层包括多层封装薄膜,且各该封装薄膜的厚度实质上是小于1微米。
7.如权利要求1所述的显示面板,其中该封装膜层具有第一折射率,该辅助层具有第二折射率,且该第二折射率大于或等于该第一折射率。
8.如权利要求7所述的显示面板,其中该第二折射率实质上是介于1.3与3之间。
9.如权利要求1所述的显示面板,其中该基板包括可挠式基板。
10.如权利要求1所述的显示面板,其中该光学膜包括偏光膜。
11.如权利要求1所述的显示面板,其中该发光显示阵列包括电激发光显示阵列。
12.如权利要求1所述的显示面板,另包括驱动阵列,设置于该基板上并位于该发光显示阵列之下。
13.一种制作显示面板的方法,包括:
提供一基板;
于该基板上形成一发光显示阵列;
于该基板上形成一封装膜层,且该封装膜层包覆该发光显示阵列;
于该基板以及该封装膜层上形成一液态材料层,并对该液态材料层进行一干燥制作工艺以形成一辅助层,其中该辅助层具有一平坦上表面,且该辅助层的萧氏硬度(shore hardness)值实质上介于D4至D60之间;
提供一光学膜,并于该光学膜的一表面形成一光学胶;以及
进行一贴附制作工艺,利用该光学胶将该光学膜贴附于该辅助层的该平坦上表面上。
14.如权利要求13所述的制作显示面板的方法,其中该辅助层的弹性系数(Modulus of Elasticity)实质上介于10兆帕(MPa)至3000兆帕之间。
15.如权利要求13所述的制作显示面板的方法,其中该辅助层的厚度实质上是介于2微米至50微米之间。
16.如权利要求13所述的制作显示面板的方法,其中该辅助层包括一胶材(sealing material),该胶材包括热固型胶材(thermal curable sealing material)、光固型胶材(photo curable sealing material)、非UV非热固化型胶材或复合型胶材(hybrid sealing material)。
17.如权利要求13所述的制作显示面板的方法,其中该封装膜层包括多层封装薄膜,且各该封装薄膜的一厚度实质上是小于1微米。
18.如权利要求13所述的制作显示面板的方法,其中该封装膜层具有第一折射率,该辅助层具有第二折射率,且该第二折射率大于或等于该第一折射率。
19.如权利要求18所述的制作显示面板的方法,其中该第二折射率实质上是介于1.3与3之间。
20.如权利要求13所述的制作显示面板的方法,另包括于形成该发光显示阵列之前,先于该基板上形成驱动阵列。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的