[发明专利]半导体芯片的制造方法和半导体芯片

权利要求书

1.一种半导体芯片的制造方法，其特征在于，包括：

在所述半导体芯片的制造过程中，每进行一次电介质层的涂布处理，均对所述电介质层注入固化离子；以及

对注入固化离子后的电介质层进行固化处理，以加固所述半导体芯片的结构。

2.根据权利要求1所述的半导体芯片的制造方法，其特征在于，还包括：

在衬底的表面生长第一层介质层；

在形成有所述第一层介质层的表面生成第一层金属层；

在形成有所述第一层金属层的表面生长第二层介质层；

在形成有所述第二层介质层的表面生长第二层金属层；

其中，所述第一层介质层与所述第二层介质层中均包括所述电介质层。

3.根据权利要求2所述的半导体芯片的制造方法，其特征在于，所述在衬底的表面生长第一层介质层的步骤具体为：

在所述衬底的表面生长氧化层；

对所述氧化层进行回刻平坦化处理；

在形成有所述氧化层的衬底表面涂布所述电介质层；

对形成有所述电介质层的衬底表面进行刻蚀，以得到所述第一层介质层。

4.根据权利要求3所述的半导体芯片的制造方法，其特征在于，所述氧化层为正硅酸乙酯。

5.根据权利要求2所述的半导体芯片的制造方法，其特征在于，所述在形成有所述第一层金属层的表面生长第二层介质层的步骤具体为：

在所述第一层金属层的表面生长第一层氧化层；

在形成有所述第一层氧化层的表面涂布第一层电介质层；

在经过固化处理后的所述第一层液态二氧化硅层的表面涂布第二层电介质层；

对形成有所述第二层电介质层的第一层氧化层表面进行回刻平坦化处理，以得到所述第二层介质层。

6.根据权利要求5所述的半导体芯片的制造方法，其特征在于，在所述涂布第二层电介质层之后，以及在所述得到所述第二层介质层之前，还包括：

在经过刻蚀之后的所述第一层氧化层的表面注入固化离子；

在注入所述固定离子之后的所述第一层氧化层的表面生长第二层氧化层。

7.根据权利要求1所述的半导体芯片的制造方法，其特征在于，所述固化离子包括砷离子。

8.根据权利要求1所述的半导体芯片的制造方法，其特征在于，采用紫外固化的方式对所述注入固化离子后的电介质层进行固化处理。

9.根据权利要去1至8中任一项所述的半导体芯片的制造方法，其特征在于，所述电介质包括：二氧化硅。

10.一种半导体芯片，其特征在于，所述半导体芯片采用权利要求1至9中任一项所述的半导体芯片的制造方法制造而成。