[发明专利]扇出型圆片级封装的制作工艺

权利要求书

1.一种扇出型圆片级封装的制作工艺，其特征在于，包括下述步骤：

步骤一，提供一适用于晶圆厂设备的圆形承载片(101)，在承载片(101)上贴覆粘结胶(102)；

步骤二，将芯片(103)正贴到粘结胶(102)上；

步骤三，在圆形承载片(101)上贴有芯片(103)的那一面上涂覆第二类绝缘树脂(104)，第二类绝缘树脂(104)填充芯片(103)之间的沟槽；第二类绝缘树脂(104)的高度不高于芯片(103)顶部的高度，第二类绝缘树脂(104)顶部低于芯片(103)顶部0～15微米；

步骤四，在承载片(101)上贴有芯片(103)的那一面上涂覆第一类感光树脂(107)，第一类感光树脂(107)将芯片(103)正面覆盖住；

步骤五，在第一类感光树脂(107)中制作通向芯片焊盘(106)的导通孔(108)；

步骤六，在导通孔(108)中和第一类感光树脂(107)上沉积一层种子层(109)；在种子层(109)上涂覆光刻胶(110)，然后使得光刻胶(110)上显露出用于制作电镀线路(111)的图形，使用电镀的方法，在显露出的图形区域中形成电连接芯片焊盘(106)的电镀线路(111)；

步骤七，去除光刻胶(110)和光刻胶底部的种子层(109)，保留电镀线路(111)底部的种子层(109)；在承载片(101)上涂覆一层阻焊油墨(113)，使得阻焊油墨(113)覆盖电镀线路(111)；

然后在阻焊油墨(113)上显露出电镀线路(111)上的金属焊盘(112)；

步骤八，在金属焊盘(112)上通过植球、印刷、电镀或化学镀工艺形成焊球(114)。

2.如权利要求1所述的扇出型圆片级封装的制作工艺，其特征在于：

所述步骤一中，圆形承载片(101)的材料为Si、玻璃、金属板或有机基板。

3.如权利要求1所述的扇出型圆片级封装的制作工艺，其特征在于：

所述步骤三中，第二类绝缘树脂(104)为包含环氧树脂、亚克力树脂、酚醛树脂或三嗪树脂成分的增层材料、底填料或塑封材料。

4.如权利要求3所述的扇出型圆片级封装的制作工艺，其特征在于：

所述第二类绝缘树脂(104)中添加有二氧化硅或陶瓷粉。

5.如权利要求1所述的扇出型圆片级封装的制作工艺，其特征在于：

所述步骤三中，涂覆第二类绝缘树脂(104)采用的工艺是丝网印刷、狭缝涂覆、喷墨打印、真空压合、点胶或压印。

6.如权利要求1所述的扇出型圆片级封装的制作工艺，其特征在于：

所述步骤四中，第一类感光树脂(107)包括BCB、PBO、PSPI、聚酰亚胺、感光型环氧树脂或干膜。

7.如权利要求1所述的扇出型圆片级封装的制作工艺，其特征在于：

所述步骤四中，涂覆第一类感光树脂(107)采用的工艺包括旋涂、喷涂、滚涂、丝网印刷、狭缝涂覆、喷墨打印、滚压或真空压合。

8.如权利要求1所述的扇出型圆片级封装的制作工艺，其特征在于：

所述步骤五中，通过光刻、显影、固化工艺，在第一类感光树脂(107)中制作通向芯片焊盘(106)的导通孔(108)。

9.如权利要求1所述的扇出型圆片级封装的制作工艺，其特征在于：

所述步骤六中，通过溅射金属或化学沉铜工艺，在导通孔(108)中和第一类感光树脂(107)上沉积种子层(109)。

10.如权利要求9所述的扇出型圆片级封装的制作工艺，其特征在于：

溅射金属时采用的金属材料为Al、Au、Cr、Co、Ni、Cu、Mo、Ti、Ta、Ni-Cr、Co—Ni、Co—Cr或W，或者Al、Au、Cr、Co、Ni、Cu、Mo、Ti、Ta、Ni-Cr、Co—Ni、Co—Cr或W的合金。