[发明专利]显示面板、显示装置以及显示面板的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及显示面板、显示装置以及显示面板的制作方法。 

背景技术

应用于手机等电子产品的TFT-LCD（thin film transistor–liquid crystal display，薄膜晶体管液晶显示器）小尺寸产品一般通过以下方法制得：彩膜基板先与阵列基板对盒，然后经过一次切割，母板Glass基板变成Q-panel，Q-panel彩膜表面会镀ITO（IndiumTinOxide，氧化铟锡），然后再进行一次切割，由Q-panel切割成single panel，single panel在后续的模组制作过程中涂覆银浆。 

现有的TFT-LCD小尺寸产品为了能快速将表面积聚的电荷导走，往往在彩膜表面镀一层ITO，然后通过银浆涂覆将ITO与single panel上接地信号相连，从而消除静电的影响。 

现有的TFT-LCD显示面板外围结构，最外围金属引线到singlepanel切割边缘之间为平铺的栅绝缘（GI）层及钝化（PVX）层，没有任何花样设计。另外，小尺寸产品往往需要用银浆将彩膜表面的ITO和panel外围的接地信号线相连，当由Q-panel切割成single panel时，切割边缘会造成人眼难以观察到的破损，而银浆容易从微破损处渗入到single panel最外围的金属引线附近，引起电信号异常，从而引起panel （面板）的品质问题。 

发明内容

（一）要解决的技术问题 

本发明要解决的技术问题是：如何防止显示面板在涂覆银浆导电层时银浆易渗入至金属引线附近而影响电信号。 

（二）发明内容 

为解决上述技术问题，根据本发明的一方面，本发明提供了一种显示面板，包括阵列基板和彩膜基板，其特征在于，该阵列基板上设有漏孔结构区，所述漏孔结构区至少一部分位于银浆导电层和所述阵列基板最外围金属引线之间，所述银浆导电层设置在所述阵列基板上并连通彩膜基板的ITO层与所述阵列基板的接地信号区。 

优选地，所述漏孔结构区包括用于存储所述银浆导电层多余银浆的多个漏孔。 

优选地，所述阵列基板的最外围金属引线为栅极导线或数据线导线。 

优选地，所述漏孔结构区包括用于存储所述银浆导电层多余银浆的多个漏孔和用于疏导所述银浆导电层多余银浆的槽道，多个所述漏孔位于所述槽道的槽底。 

优选地，所述多个漏孔中的至少一部分排布于所述阵列基板的最外围金属引线与所述阵列基板的边缘之间。 

优选地，所述漏孔靠近且不连通所述阵列基板的最外围金属引线。 

优选地，所述漏孔贯穿所述阵列基板的栅绝缘层及钝化层，且止于所述阵列基板的衬底基板。 

根据本发明的另一方面，提供了一种显示装置，该显示装置包括上述的显示面板。 

根据本发明的又一方面，提供了一种显示面板的制作方法，所述显示面板包括阵列基板和彩膜基板，所述方法包括在设置银浆导电层之前形成漏孔结构区的步骤，其中，所述银浆导电层设置在所述阵列基板上并连通彩膜基板的ITO层与所述阵列基板的接地信号区，所述漏孔结构区至少一部分形成于所述银浆导电层和所述阵列基板最外围金属引线之间。 

优选地，所述漏孔结构区通过过孔掩膜和过孔蚀刻工艺形成。 

（三）有益效果 

本发明与现有技术相比具有以下的优点： 

本发明通过在阵列基板上设置漏孔结构区，阻挡银浆导电层的银浆渗入到阵列基板最外围的金属导线附近，防止电信号由于电容效应等而受到银浆的影响，从而保证了面板的品质。 

附图说明

图1是现有显示面板的结构示意图； 

图2是图1中阵列基板沿A-A’线的剖面图； 

图3是本发明实施例显示面板的结构示意图； 

图4是图3中阵列基板沿B-B’线的剖面图。 

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。