[发明专利]扇出型圆片级封装的制作方法有效
申请号: | 201410045811.3 | 申请日: | 2014-02-08 |
公开(公告)号: | CN103745938A | 公开(公告)日: | 2014-04-23 |
发明(设计)人: | 陈峰;耿菲 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人: | 殷红梅 |
地址: | 214000 江苏省无锡市新区太湖国*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 扇出型圆片级 封装 制作方法 | ||
1.一种扇出型圆片级封装的制作方法,其特征在于,包括下述步骤:
步骤一,提供一圆形的承载片(101),在承载片(101)上贴覆粘结胶(102);
步骤二,将芯片(103)正贴到粘结胶(102)上;
步骤三,在圆形承载片(101)上贴有芯片(103)的那一面上涂覆第二类感光树脂(104),第二类感光树脂(104)包括阻焊油墨、感光绿漆、干膜或感光型增层材料,第二类感光树脂(104)将芯片(103)覆盖;
步骤四,去除芯片(103)正面的有效图形区域以外的第二类感光树脂(104),露出芯片(103)的有效图形区域,使得芯片焊盘(106)暴露在外;
步骤五,在承载片(101)上贴有芯片(103)的那一面上涂覆第一类感光树脂(107),第一类感光树脂(107)包括BCB、PBO、PSPI、聚酰亚胺或陶氏化学公司的Intervia材料;第一类感光树脂(107)将芯片(103)暴露出的有效图形区域覆盖;
步骤六,在第一类感光树脂(107)中形成通向芯片焊盘(106)的导通孔(108);
步骤七,在导通孔(108)中和第一类感光树脂(107)上沉积种子层(109);在种子层(109)上涂覆光刻胶(110),然后使得光刻胶(110)上显露出用于制作电镀线路(111)的图形,使用电镀的方法,在显露出的图形区域中形成电连接芯片焊盘(106)的电镀线路(111);
步骤八,去除光刻胶(110)和光刻胶底部的种子层(109),保留电镀线路(111)底部的种子层(109);在承载片(101)上涂覆阻焊油墨(113),使得阻焊油墨(113)覆盖电镀线路(111);
然后在阻焊油墨(113)上显露出电镀线路(111)上的金属焊盘(112);
步骤九,在金属焊盘(112)上形成焊球(114)。
2.如权利要求1所述的扇出型圆片级封装的制作方法,其特征在于:
所述步骤一中,圆形承载片(101)的材料为Si、玻璃、金属板或有机基板。
3.如权利要求1所述的扇出型圆片级封装的制作方法,其特征在于:
所述步骤三中,涂覆第二类感光树脂(104)的工艺包括旋涂、喷涂、滚涂、丝网印刷、狭缝涂覆、喷墨打印、滚压或真空压合。
4.如权利要求1所述的扇出型圆片级封装的制作方法,其特征在于:
所述步骤四中,具体在曝光机中通过对位曝光工艺,使第二类感光树脂(104)发生反应,使用显影液将芯片(103)正面的有效图形区域以外的第二类感光树脂(104)去除。
5.如权利要求1所述的扇出型圆片级封装的制作方法,其特征在于:
所述步骤五中,涂覆第一类感光树脂(107)的工艺包括旋涂、喷涂、滚涂、丝网印刷、狭缝涂覆、喷墨打印、滚压或真空压合。
6.如权利要求1所述的扇出型圆片级封装的制作方法,其特征在于:
所述步骤七中,通过溅射金属或化学沉铜工艺,在导通孔(108)中和第一类感光树脂(107)上沉积种子层(109)。
7.如权利要求1所述的扇出型圆片级封装的制作方法,其特征在于:
所述步骤九中,通过植球、印刷、电镀或化学镀工艺形成焊球(114)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造