[发明专利]化学机械研磨的方法有效
| 申请号： | 201410045890.8 | 申请日： | 2014-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN104827382B | 公开（公告）日： | 2018-03-20 |
| 发明（设计）人： | 王贤超;奚民伟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;B24B37/34 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化学 机械 研磨 方法 | ||
1.一种化学机械研磨的方法，其特征在于，所述方法包括：
对基片进行第一研磨，直到所述基片的边缘区域的厚度达到第一预定值且所述基片的所述边缘区域的厚度小于所述基片的中心区域的厚度；
对所述基片进行第二研磨，直到所述基片的所述中心区域的厚度达到第二预定值，在所述第二研磨过程中对所述边缘区域和所述中心区域施加的压力比小于在所述第一研磨过程中对所述边缘区域和所述中心区域施加的压力比；以及
对所述基片进行第三研磨，在所述第三研磨过程中所述基片往复移动。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一研磨包括：
对所述基片进行初研磨，直到所述基片上任何一个位置处的厚度达到大于所述第一预定值的预定厚度，在所述初研磨过程中所述基片往复移动；以及
对所述基片进行再研磨，直到所述边缘区域的厚度达到所述第一预定值，其中在所述再研磨过程中所述基片的中心位置不变且使所述基片旋转。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述预定厚度为3μm～6μm，和/或第一预定值为3μm～5μm。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二预定值为2μm～4μm。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一研磨过程中，对所述边缘区域施加的压力大于对所述中心区域施加的压力。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述边缘区域包括靠近所述基片的最外沿的第一区域和位于所述第一区域和所述中心区域之间的第二区域，在所述第二研磨过程中对所述第一区域的施加的压力为在所述第一研磨过程中对所述第一区域施加的压力的85％～90％；且在所述第二研磨过程中对所述第二区域施加的压力为在所述第一研磨过程中对所述第二区域施加的压力的70％～80％。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述第二研磨过程中对所述中心区域施加的压力与在所述第一研磨过程中对所述中心区域施加的压力相等。
8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述第一研磨过程中施加至所述第一区域、所述第二区域和所述中心区域的压力分别为210～350g/cm2、210～350g/cm2和130～220g/cm2。
9.如权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述第二研磨过程中施加至所述第一区域、所述第二区域和所述中心区域的压力分别为185～305g/cm2、140～280g/cm2和130～220g/cm2。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第三研磨的时间为10秒～30秒。
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