[发明专利]一种半导体器件及其制作方法

权利要求书

1.一种制作半导体器件的方法，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成低k层间介电层和位于所述低k层间介电层中的金属互连结构；

采用硅烷和含硼化合物的混合气体处理所述金属互连结构的顶面，以形成第一金属化合物覆盖层；

采用氮气或者氨气处理所述第一金属化合物覆盖层，以形成第二金属化合物覆盖层；

在所述低k层间介电层和所述第二金属化合物覆盖层上形成电介质覆盖层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括采用硅烷和三甲基硼处理所述金属互连结构的顶面之前，使用氮气或者氨气处理所述金属互连结构顶面的步骤。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含硼化合物选自硼烷及其烷基取代衍生物；碳硼烷；硼氮苯分子及其烷基取代衍生物；胺类硼烷；及其组合。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金属化合物覆盖层的材料为CuSiB。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述第一金属化合物覆盖层的工艺参数为：硅烷的流量为500立方厘米/分钟～1500立方厘米/分钟，通入所述含硼化合物的流量为500立方厘米/分钟～1500立方厘米/分钟，反应室内压力为0.1毫托～100毫托，反应温度为150℃～400℃，等离子体处理的时间为5s～300s。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二金属化合物覆盖层的材料为CuSiBN。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属互连结构包括金属铜。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述低k层间介电层和所述半导体衬底之间形成有刻蚀停止层。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电介质覆盖层材料为氮化硅或者掺碳的氮化硅。

10.一种采用如权利要求1-9之一所述的方法制作获得的半导体器件，包括：半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成的低k层间介电层和位于所述低k层间介电层中的金属互连结构；

位于所述金属互连结构顶面上的金属化合物覆盖层；

位于所述低k层间介电层和所述金属化合物覆盖层上的电介质覆盖层，其中所述金属化合物覆盖层含有硅、硼和氮。

11.如权利要求10所述的半导体器件，所述金属化合物覆盖层为CuSiBN。