[发明专利]一种制作半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制作半导体器件的方法，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；

在所述第一区域和第二区域中的所述半导体衬底上形成第一栅极结构和第二栅极结构；

执行注入工艺；

在所述半导体衬底上形成吸热层，所述吸热层覆盖所述第一区域和所述第二区域；

去除所述第二区域中的所述吸热层，以在所述第一区域和所述第二区域中形成热吸收率不同的薄膜堆叠结构；

执行退火工艺，以在所述不同的薄膜堆叠结构中实现不同的阈值电压；

去除所述第一区域中的所述吸热层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述注入工艺为袋注入或者LDD注入。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一区域和所述第二区域的所述注入工艺的条件相同。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在形成所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之前执行阱离子注入和调阈值注入的步骤。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一区域和所述第二区域的所述调阈值注入的条件相同或者不同。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用ALD工艺或者CVD工艺形成所述吸热层。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述吸热层为采用应力记忆技术形成的应力记忆层。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体衬底包括浅沟槽隔离结构。