[发明专利]发光元件有效
申请号: | 201410046186.4 | 申请日: | 2014-02-10 |
公开(公告)号: | CN103996761B | 公开(公告)日: | 2018-04-10 |
发明(设计)人: | 杨宗宪;徐子杰;陈怡名;赖易堂;杨治政;魏志伟;陈庆升;陈世益;许嘉良;许晏铭 | 申请(专利权)人: | 晶元光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/02 | 分类号: | H01L33/02 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 | ||
1.一种发光元件,包含︰
透明基板;
至少一半导体发光叠层位于该透明基板上,其中该半导体发光叠层包含靠近该透明基板的第一半导体层、远离该透明基板的第二半导体层,及位于该第一半导体层与该第二半导体层之间的发光层,其中该发光层可发出一光线;及
接合层,位于该透明基板与该半导体发光叠层之间,该接合层包含靠近该第一半导体层的第一接合层,其中该第一半导体层具有第一折射率n1,该透明基板具有第二折射率n2,该第一接合层具有折射率nb1,并且各该折射率满足以下关系式:(n1*n2)1/2+0.3≥nb1≥(n1*n2)1/2-0.3。
2.如权利要求1所述的发光元件,其中该接合层还包含第二接合层,该第二接合层具有第二折射率nb2,且较第一接合层远离该第一半导体层。
3.如权利要求2所述的发光元件,其中该接合层还包含第三接合层,位于该第二接合层与该透明基板之间。
4.如权利要求1所述的发光元件,其中该第二折射率n2与该第一折射率n1相差1以上。
5.如权利要求2所述的发光元件,其中该第一接合层的折射率nb1大于该第二接合层的折射率nb2且小于该第一折射率n1,该第二接合层的折射率nb2大于该第二折射率n2。
6.如权利要求2所述的发光元件,其中该第一接合层与该第二接合层包含金属氧化物材料。
7.如权利要求6所述的发光元件,其中第一接合层至少具有一种金属氧化物材料不同于第二接合层的金属氧化物材料。
8.如权利要求6所述的发光元件,其中第一接合层的氧含量不同于第二接合层的氧含量。
9.如权利要求1所述的发光元件,其中该第一半导体层靠近透明基板的表面为一粗糙面。
10.如权利要求1所述的发光元件,其中包含多个半导体发光叠层,位于透明基板上,导线结构使多个半导体发光叠层于此透明基板上以串联、并联、串并联的方式彼此电性连接。
11.如权利要求2所述的发光元件,其中各该折射率满足以下关系式:n1>nb1>nb2≥n2。
12.如权利要求2所述的发光元件,其中第二接合层的折射率与透明基板的该第二折射率相同。
13.如权利要求2所述的发光元件,其中该第二接合层的材料包含氧化铝(Al2O3),该透明基板为蓝宝石(sapphire)基板。
14.如权利要求1所述的发光元件,其中该第一接合层的材料包含二氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、二氧化碲(TeO2)、氧化钇(Y2O3)、二氧化铪(HfO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡(ITO)、或是铌酸锂(LiNbO3)。
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