[发明专利]基于红外线的量测于硅穿孔周围应力及缺陷的侦测

权利要求书

1.一种基于红外线IR的测量的方法，包含：

使源于IR光源的IR光束穿过在半导体装置的硅穿孔TSV周围的材料，其中该IR光束含有折射率的微扰；以及

在该IR光束穿过该TSV周围的该材料后，分析该IR光束且测量该TSV周围的该材料的一组光学性质的微扰，以确定关于该TSV周围的应力或缺陷的信息，其中该TSV周围的该材料的该组光学性质的微扰受到该半导体装置总厚度的影响。

2.根据权利要求1所述的方法，更包括：

由该IR光源射出IR光束；以及

将该IR光束分成第一部分与第二部分，该穿过包括使该第一部分穿过该TSV周围的该材料。

3.根据权利要求2所述的方法，更包括：在该第一部分穿经该TSV周围的该材料后，使该第一部分与该第二部分结合。

4.根据权利要求3所述的方法，该分析包括：在该结合后，分析该IR光束。

5.根据权利要求1所述的方法，该IR光束具有小于1.12eV的光子能。

6.一种基于红外线IR的测量的方法，包含：

使用IR光源射出IR光束；

使该IR光束沿着预定路径穿过在半导体装置的硅穿孔TSV周围的材料，其中该IR光束含有折射率的微扰；以及

在该IR光束穿过该TSV周围的该材料后，分析该IR光束且测量该折射率的该微扰，以确定关于该TSV周围的应力或缺陷的信息，其中该折射率的微扰受到该半导体装置总厚度的影响。

7.根据权利要求6所述的方法，更包括：将该IR光束分成第一部分与第二部分，该穿过包括使该第一部分穿过该TSV周围的该材料。

8.根据权利要求7所述的方法，更包括：在该第一部分穿过该TSV周围的该材料后，使该第一部分与该第二部分结合，以产生再结合IR光束。

9.根据权利要求8所述的方法，该分析包括：分析该再结合IR光束。

10.根据权利要求6所述的方法，该IR光束具有小于1.12eV的光子能。

11.一种基于红外线IR的测量的方法，包含：

使用IR光源射出IR光束；

将该IR光束分成第一部分与第二部分；

使该IR光束的该第一部分穿过在半导体装置的硅穿孔TSV周围的材料；

在该穿过后，使该第一部分与该第二部分结合，其中该IR光束含有折射率的微扰；以及

在该结合后，分析该IR光束且测量该折射率的该微扰，以确定关于该TSV周围的应力或缺陷的信息，其中该折射率的微扰受到该半导体装置总厚度的影响。

12.根据权利要求11所述的方法，该IR光束具有小于1.12eV的光子能。

13.根据权利要求11所述的方法，该分析包括：应用干涉测量技术。

14.根据权利要求11所述的方法，该方法是实时进行。