[发明专利]修整同时双面抛光半导体晶片的抛光垫的方法

权利要求书

1.一种修整双面抛光装置中同时双面抛光半导体晶片的抛光垫（3、4）的方法，所述双面抛光装置具有环形下抛光板（2）、环形上抛光板（1）和用于承载盘（8）的滚动装置（6、7），所述下抛光板（2）、所述上抛光板（1）和所述滚动装置（6、7）安装成可围绕共线设置的轴线（5）旋转，所述下抛光板（2）由第一抛光垫（4）覆盖，且所述上抛光板（1）由第二抛光垫（3）覆盖，其中借助于所述滚动装置（6、7）使具有外齿（12）的至少一个修整工具（11）和具有外齿（15）的至少一个间隔件（14）在形成于第一和第二抛光垫（3、4）之间的工作间隙中围绕所述滚动装置（6、7）的轴线（5）进行回转运动并且同时自转，以使得所述至少一个修整工具（11）通过其相对运动产生所述两个抛光垫（3、4）中的至少一个的材料磨耗，所述至少一个修整工具（11）的厚度（dD）不同于所述至少一个间隔件（14）的厚度（dS）。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在修整期间使由待修整的抛光垫覆盖的抛光板转动。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述至少一个修整工具的厚度（dD）与所述至少一个间隔件的厚度（dS）相差至少0.1mm。

4.如权利要求1至3之一所述的方法，其特征在于，所述至少一个修整工具（11）的厚度（dD）大于所述至少一个间隔件（14）的厚度（dS）。

5.如权利要求1至4之一所述的方法，其特征在于，使用彼此邻近设置的至少两个修整工具（11）。

6.如权利要求1至5之一所述的方法，其特征在于，使用彼此邻近设置的至少两个间隔件（14）。

7.如权利要求1至6之一所述的方法，其特征在于，在修整之后，所述工作间隙在所述抛光垫（3、4）的内边缘处的宽度不同于所述工作间隙在所述抛光垫（3、4）的外边缘处的宽度。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述工作间隙在所述抛光垫（3、4）的内边缘处的宽度与所述工作间隙在所述抛光垫（3、4）的外边缘处的宽度在每米的所述抛光垫（3、4）的环宽度上相差至少70μm。

9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述工作间隙在所述抛光垫（3、4）的内边缘处的宽度与所述工作间隙在所述抛光垫（3、4）的外边缘处的宽度在每米的所述抛光垫（3、4）的环宽度上相差至少140μm。

10.如权利要求7至9之一所述的方法，其特征在于，所述工作间隙在所述抛光垫（3、4）的内边缘处的宽度与所述工作间隙在所述抛光垫（3、4）的外边缘处的宽度在每米的所述抛光垫（3、4）的环宽度上相差最多300μm。

11.如权利要求7至10之一所述的方法，其特征在于，所述工作间隙在所述抛光垫（3、4）的内边缘处的宽度大于所述工作间隙在所述抛光垫（3、4）的外边缘处的宽度。

12.如权利要求1至11之一所述的方法，其特征在于，在修整所述至少一个抛光垫（3、4）之后使用所述双面抛光装置，以通过转动下抛光板和上抛光板（2、1）同时双面抛光在形成于第一和第二抛光垫（3、4）之间的工作间隙中的至少三个半导体晶片，每个半导体晶片可在设有外齿（9）的至少三个承载盘（8）中的一个的凹槽（10）中自由移动，借助于所述滚动装置（6、7）转动所述承载盘（8），以使得所述半导体晶片在所述工作间隙中在摆线路径上移动。