[发明专利]用于半导体装置的冗余评估电路

权利要求书

1.一种冗余评估电路，包括:

(m+1)个熔丝盒，其中m为一缺陷元件地址讯号的一位数，这些熔丝盒的每一个包括:

一共级电路，该共级电路具有一预充电晶体管及一反向锁存器，其中该预充电晶体管受控于一预充电讯号，以将一共同端提升至一逻辑高电平，并且该反向锁存器输出该共同端上的一电平的一反向讯号；

k个冗余单元，每个冗余单元具有一晶体管及一熔丝，其中该晶体管的一第一端耦接至该共同端，该晶体管的一第二端通过该熔丝耦接至一低参考电压，且该晶体管的一栅极接收k个选择讯号的其中一个，其中k为一电路块数；

一比较器，被一比较器致能讯号致能，用以比对一熔丝地址讯号以及一缺陷元件地址讯号，以产生一冗余致能讯号，其中m个熔丝盒输出其共同端上的m个电平的m个反向讯号作为该熔丝状态地址讯号，且另一熔丝盒输出其共同端上的该电平的该反向讯号作为该比较器致能讯号；

一控制逻辑电路，接收一致能讯号，以产生该预充电讯号开启该预充电晶体管，以提升该(m+1)个熔丝盒的这些共同端至该逻辑高电平，接着关闭该预充电晶体管，并产生一评估致能讯号；以及

一解码器，被该评估致能讯号所致能，用以解码一电路块地址讯号，以输出该k个选择讯号，其中该电路块地址讯号具有n个位，且n与k的关系为2n-1<k≦2n。

2.如权利要求1所述的冗余评估电路，其中该晶体管为一N型金属氧化物半导体晶体管，该N型金属氧化物半导体晶体管的该第一端及该第二端分别为一漏极及一源极，且该低参考电压为一接地。

3.如权利要求1所述的冗余评估电路，其中该预充电晶体管为一P型金属氧化物半导体晶体管，该P型金属氧化物半导体晶体管的一栅极接收该预充电讯号，该P型金属氧化物半导体晶体管的一源极及一漏极分别耦接至一供应电压及对应的该共同端。

4.如权利要求1所述的冗余评估电路，其中该反向锁存器包括一第一P型金属氧化物半导体晶体管、一第二P型金属氧化物半导体晶体管以及一N型金属氧化物半导体晶体管，其中该第一及第二P型金属氧化物半导体晶体管的两源极耦接至一供应电压，该第一P型金属氧化物半导体晶体管的一栅极耦接至该第二P型金属氧化物半导体晶体管以及该N型金属氧化物半导体晶体管的两漏极，第一晶体管P型金属氧化物半导体的一漏极及该第二P型金属氧化物半导体晶体管与该N型金属氧化物半导体晶体管的两栅极耦接至该共同端，该N型金属氧化物半导体晶体管的一源极耦接至该低参考电压。

5.一种半导体装置，包括:

k个电路块，其中k为一电路块数；

一冗余电路，包括多个冗余元件，这些冗余元件用以取代该k个电路块内的多个缺陷元件，以及

一冗余评估电路，包括:

(m+1)个熔丝盒，其中m为一缺陷元件地址讯号的一位数，这些熔丝盒的每一个包括:

一共级电路，该共级电路具有一预充电晶体管及一反向锁存器，其中该预充电晶体管受控于一预充电讯号，以将一共同端提升至一逻辑高电平，并且该反向锁存器输出一反向电平于该共同端；

k个冗余单元，每个冗余单元具有一晶体管及一熔丝，其中该晶体管的一第一端耦接至该共同端，该晶体管的一第二端通过该熔丝耦接至一低参考电压，且该晶体管的一栅极接收k个选择讯号的其中一个；

一比较器，被一比较器致能讯号所致能，用以比对一绒丝地址讯号以及一缺陷元件地址讯号，以产生一冗余致能讯号，其中m个熔丝盒输出其共同端上的m个电平的m个反向讯号作为该熔丝状态地址讯号，且另一熔丝盒输出其共同端上的该电平的该反向讯号作为该比较器致能讯号；

一控制逻辑电路，接收一致能讯号，以产生该预充电讯号开启该预充电晶体管，以提升该(m+1)个熔丝盒的这些共同端至该逻辑高电平，接着关闭该预充电晶体管，并产生一评估致能讯号；以及

一解码器，被该评估致能讯号所致能，用以解码一电路块地址讯号，以输出该k个选择讯号，其中该电路块地址讯号具有n个位，且n与k的关系为2n-1<k≦2n。