[发明专利]半导体存储装置在审

专利信息
申请号: 201410046771.4 申请日: 2014-02-10
公开(公告)号: CN104021814A 公开(公告)日: 2014-09-03
发明(设计)人: 细野浩司 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: G11C16/06 分类号: G11C16/06
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 陈海红;段承恩
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 存储 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体存储装置,其特征在于,具备:

串联连接的存储器单元晶体管列;

第一选择晶体管,其连接于所述存储器单元晶体管列的第一端与源线及位线中的一个之间;

第一线,其与所述第一选择晶体管的栅电极连接,并经第一传输晶体管与驱动器连接,且经第二传输晶体管与供给非选择电压的第一节点连接;

第一锁存器,当其被置位时即使输入选择所述第一线的地址也保存指示所述第一线的非选择的信息;

第二节点,当所述第一锁存器被置位及复位了时,该第二节点分别为第一及第二逻辑且与所述第一传输晶体管的栅电极连接;

第一或非门,其接收第一信号和所述第一锁存器的输出;和

第二或非门,其接收所述第二节点及所述第一或非门的输出,并将输出与所述第二传输晶体管的栅电极连接,

所述第一线有选择地与所述驱动器连接或与所述第一节点连接,或者浮置,

当所述第一锁存器被置位了且所述第一信号为第一逻辑时,所述第一线与所述第一节点连接,

当所述第一锁存器被置位了且所述第一信号为第二逻辑时,通过将所述第一及第二传输晶体管截止,从而使所述第一线浮置。

2.一种半导体存储装置,其特征在于,具备:

串联连接的存储器单元晶体管列;

第一选择晶体管,其连接于所述存储器单元晶体管列的第一端与源线及位线中的一个之间;和

第一线,其与所述第一选择晶体管的栅电极连接,

所述第一线有选择地与驱动器连接或与供给非选择电压的第一节点连接,或者浮置。

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置,其特征在于,

所述第一线经第一传输晶体管与所述驱动器连接,并经第二传输晶体管与所述第一节点连接,

通过将所述第一及第二传输晶体管截止,从而使所述第一线浮置。

4.根据权利要求3所述的半导体存储装置,其特征在于,

还具备第一锁存器,当被置位了时该第一锁存器保存指示使所述第一线浮置的信息,

当所述第一锁存器被置位了时,所述第一及第二传输晶体管截止。

5.根据权利要求4所述的半导体存储装置,其特征在于,

还具备第二锁存器,当其被置位了时,即使输入选择所述第一线的地址也保存指示所述第一线的非选择的信息,

当所述第二锁存器被置位了时,与所述第一锁存器无关地,所述第一线从所述驱动器断开而与所述第一节点连接。

6.根据权利要求5所述的半导体存储装置,其特征在于,

当所述第一锁存器被置位了时,与所述第二锁存器无关地,所述第一线浮置。

7.根据权利要求6所述的半导体存储装置,其特征在于,

还具备:第二选择晶体管,其连接于所述存储器单元晶体管列的第二端与源线及位线中的另一个之间;和第二线,其与所述第二选择晶体管的栅电极连接并有选择地与第二驱动器连接,

当所述第二锁存器被置位了时,所述第二线与所述第一节点连接,

当所述第一及第二锁存器都被置位了时,所述第一及第二线浮置、或者所述第一线不浮置地与所述第一节点连接且所述第二线浮置。

8.根据权利要求3所述的半导体存储装置,其特征在于,

还具备第一锁存器,当该第一锁存器被置位了时即使输入选择所述第一线的地址也保存指示所述第一线的非选择的信息,

所述第一线有选择地与所述驱动器连接或与所述第一节点连接,或者浮置,

当所述第一锁存器被置位了且所述第一信号为第一逻辑时,所述第一线与所述第一节点连接,

当所述第一锁存器被置位了且所述第一信号为第二逻辑时,通过将所述第一及第二传输晶体管截止,从而使所述第一线浮置。

9.根据权利要求8所述的半导体存储装置,其特征在于,还具备:

第二节点,当所述第一锁存器被置位了及复位了时,该第二节点分别为第一及第二逻辑且与所述第一传输晶体管的栅电极连接;

第一或非门,其接收第一信号和所述第一锁存器的输出;和

第二或非门,其接收所述第二节点及所述第一或非门的输出,并将输出与所述第二传输晶体管的栅电极连接。

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