[发明专利]一种基于沟槽底部的金属层形成方法

权利要求书

1.一种基于沟槽底部的金属层形成方法，其特征在于，包括：

采用第一酸性溶液清洗半导体器件的沟槽；

依次在所述沟槽的上下平面以及侧壁形成金属层和树脂层，并对所述树脂层进行加热固化处理；

采用干法刻蚀的方法对所述树脂层进行去除处理，以露出所述沟槽的上平面以及侧壁上方部分的金属层；

采用第二酸性溶液去除所述露出的所述沟槽的上平面以及侧壁上方部分的金属层，并采用所述干法刻蚀的方法去除剩余的树脂层，以在所述沟槽的下平面上覆盖所述金属层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一酸性溶液包括盐酸和纯水，所述盐酸和纯水的配比的范围为1：20至1：5。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二酸性溶液包括如下一种或者几种的组合：硫酸、盐酸、硝酸和氢氟酸。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属层为镍层、钛层、铝层、铂层、银层或者金层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述树脂层为苯并环丁烯层或者聚酰亚胺层。

6.根据权利要求1至5任一所述的方法，其特征在于，所述对所述树脂层进行加热固化处理，包括：

从室温开始进行加温处理，直至升温到预设温度后，在所述预设温度下，采用预设时间对所述树脂层进行固化处理；

在达到所述预设时间后，进行降温处理，以降低到所述室温。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述预设温度大于或等于150℃，且小于或等于300℃；所述预设时间大于或等于1小时，且小于或等于24小时。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述干法刻蚀的方法为反应离子刻蚀方法或者感应耦合等离子体方法。