[发明专利]离子注入机台基准起始注入角度的校准方法有效
| 申请号： | 201410047153.1 | 申请日： | 2014-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN104835769B | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 张进创;陈立峰;逄锦涛;韦伟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 离子 注入 机台 基准 起始 角度 校准 方法 | ||
1.一种离子注入机台基准起始注入角度的校准方法，包括：
在离子注入机台中，以45度的初始注入角度对第一待注入晶圆进行离子注入，以获取第一晶格损伤度和与其对应的45度的初始注入角度的数据；
在所述离子注入机台中，从所述45度的初始注入角度开始设置至少两个不同注入角度，以采用所述至少两个不同注入角度对至少两个待注入晶圆分别进行离子注入，以获取至少两份晶格损伤度和与其对应的注入角度的数据；
将获取的所有的晶格损伤度和与其对应的注入角度的数据标示坐标系中，并对坐标系中标示出的点进行拟合，以获得晶格损伤度和注入角度的关系曲线；
将所述关系曲线的顶点所对应的角度，作为所述离子注入机台校准后的基准起始注入角度。
2.根据权利要求1所述的离子注入机台基准起始注入角度的校准方法，其特征在于：所述至少两个不同注入角度对称地位于所述45度的初始注入角度的两侧。
3.根据权利要求2所述的离子注入机台基准起始注入角度的校准方法，其特征在于：相邻的注入角度之间相差0.1～1度。
4.根据权利要求1所述的离子注入机台基准起始注入角度的校准方法，其特征在于：
从所述45度的初始注入角度开始设置的不同注入角度为4个，分别为44度、44.5度、45.5度和46度。
5.根据权利要求1至4任一项所述的离子注入机台基准起始注入角度的校准方法，其特征在于：每一次离子注入的杂质、能量和剂量均相同。
6.根据权利要求5所述的离子注入机台基准起始注入角度的校准方法，其特征在于：
所述离子注入的杂质为硼，所述能量范围为100～200KeV，所述剂量范围为5.0×1012～2.0×1013atom/cm2。
7.根据权利要求1至4任一项所述的离子注入机台基准起始注入角度的校准方法，其特征在于：所述45度的初始注入角度为校准前的基准起始注入角度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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