[发明专利]压电体薄膜层叠基板有效
| 申请号： | 201410048610.9 | 申请日： | 2014-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN104078560B | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 末永和史;柴田宪治;渡边和俊;堀切文正;野口将希 | 申请（专利权）人： | 住友化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L41/18 | 分类号： | H01L41/18;H01L41/187;H01L41/053 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司11243 | 代理人： | 钟晶,於毓桢 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 压电 薄膜 层叠 | ||
1.一种压电体薄膜层叠基板，其特征在于，是在基板上至少依次层叠有密合层、下部电极层和非铅系压电体薄膜层的压电体薄膜层叠基板，
所述非铅系压电体薄膜层由铌酸锂钾钠(组成式(NaxKyLiz)NbO3，0＜x＜1、0＜y＜1、0≤z≤1、x+y+z＝1)形成，
所述基板的与所述密合层对置的面的表面粗糙度按最大高度Rz计为2nm以下，
所述密合层由第4族元素的非晶质氧化物或者第5族元素的非晶质氧化物形成，其厚度为1nm以上2nm以下且为所述基板表面的最大高度Rz以上。
2.根据权利要求1所述的压电体薄膜层叠基板，其特征在于，所述基板的表面粗糙度按算术平均粗糙度Ra计为0.18nm以下。
3.根据权利要求1或2所述的压电体薄膜层叠基板，其特征在于，所述下部电极层优先取向于(111)面。
4.根据权利要求1或2所述的压电体薄膜层叠基板，其特征在于，所述密合层的第4族元素是钛(Ti)。
5.根据权利要求1或2所述的压电体薄膜层叠基板，其特征在于，所述下部电极层由铂(Pt)或Pt合金形成。
6.根据权利要求1或2所述的压电体薄膜层叠基板，其特征在于，所述基板是硅(Si)基板、SOI(绝缘体上硅)基板、锗(Ge)基板、氧化镁(MgO)基板、氧化锌(ZnO)基板、钛酸锶(SrTiO3)基板、钌酸锶(SrRuO3)基板、蓝宝石(Al2O3)基板、砷化镓(GaAs)基板、氮化镓(GaN)基板、以及玻璃基板之中的任一个。
7.根据权利要求1或2所述的压电体薄膜层叠基板，其特征在于，所述基板是石英玻璃基板。
8.一种压电体薄膜层叠基板，其特征在于，是在基板上至少层叠有密合层、下部电极层和非铅系压电体薄膜层的压电体薄膜层叠基板，
所述非铅系压电体薄膜层由具有钙钛矿结构的强电介质形成，
所述基板的与所述密合层对置的面的表面粗糙度按最大高度Rz计为2nm以下，
所述密合层由第4族元素的非晶质氧化物或者第5族元素的非晶质氧化物形成，其厚度为1nm以上2nm以下且为所述基板表面的最大高度Rz以上。
9.根据权利要求8所述的压电体薄膜层叠基板，其特征在于，所述基板的表面粗糙度按算术平均粗糙度Ra计为0.18nm以下。
10.一种压电体薄膜元件，其特征在于，利用了权利要求1～9中任一项所述的压电体薄膜层叠基板。
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