[发明专利]一种室温下气-固相原位反应制备单晶硅/碘化亚铜本体异质结薄膜的方法

权利要求书

1.一种室温下气-固相原位反应制备单晶硅/碘化亚铜本体异质结薄膜的方法，其特征在于包括如下步骤：

（1）将n型单晶硅片进行表面腐蚀处理，得到表面为金字塔状阵列结构的n型单晶硅片；

（2）在n型单晶硅片表面制备单质铜层，得到覆铜n型单晶硅片；

（3）制备单晶硅/碘化亚铜本体异质结薄膜：20-30℃下将步骤（2）得到的覆铜n型单晶硅片放入布满饱和碘蒸气的密闭反应器中反应15-50分钟，得到单晶硅/碘化亚铜本体异质结薄膜。

2.根据权利要求1所述的室温下气-固相原位反应制备单晶硅/碘化亚铜本体异质结薄膜的方法，其特征在于步骤（1）所述的表面腐蚀处理为：将n型单晶硅片经洗涤处理后，放入质量分数为3.0-4.0wt%的氢氧化钾溶液和异丙醇的混合溶液中，预热处理，然后洗涤后再在体积比为1:50的HF水溶液中浸泡30s，洗涤，烘干，备用。

3.根据权利要求2所述的室温下气-固相原位反应制备单晶硅/碘化亚铜本体异质结薄膜的方法，其特征在于所述的洗涤处理为用丙酮擦拭、去离子水冲洗后，再用无水乙醇超声清洗。

4.根据权利要求2所述的室温下气-固相原位反应制备单晶硅/碘化亚铜本体异质结薄膜的方法，其特征在于所述质量分数为3.0-4.0wt%的氢氧化钾溶液和异丙醇的体积比为15:2；所述的预热处理为90℃条件下加热30-40min。

5.根据权利要求1所述的室温下气-固相原位反应制备单晶硅/碘化亚铜本体异质结薄膜的方法，其特征在于步骤（1）所述的n型单晶硅片为（100）面取向的硅片。

6.根据权利要求1所述的室温下气-固相原位反应制备单晶硅/碘化亚铜本体异质结薄膜的方法，其特征在于步骤（2）是通过直流磁控溅射、蒸镀或电镀的方法在n型单晶硅片表面制备200-400nm厚度的单质铜层。

7.根据权利要求1所述的室温下气-固相原位反应制备单晶硅/碘化亚铜本体异质结薄膜的方法，其特征在于步骤（3）所述碘蒸气是将碘单质颗粒放在反应器中，然后在室温下升华产生的，碘源过量；反应时覆铜n型单晶硅片不与碘单质接触。

8.根据权利要求1所述的室温下气-固相原位反应制备单晶硅/碘化亚铜本体异质结薄膜的方法，其特征在于步骤（3）所述反应器为普通塑料或玻璃样品管。