[发明专利]用于磁控溅射的掺氟氧化锡靶材及其制备方法

权利要求书

1.一种用于磁控溅射的掺氟氧化锡靶材的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：高温条件下，分别将锡化合物与氟化合物气化后混合，并由载气将此混合气体带至高温反应器中，在反应器内壁或底部生成FTO结晶或粉末；将此FTO结晶或粉末进行研磨、压片，得到用于磁控溅射的掺氟氧化锡靶材。

2.根据权利要求1所述用于磁控溅射的掺氟氧化锡靶材的制备方法，其特征在于，所述锡化合物与氟化合物的摩尔比为0.001~20。

3.根据权利要求1所述用于磁控溅射的掺氟氧化锡靶材的制备方法，其特征在于，所述锡化合物为无机锡化合物和/或有机锡化合物。

4.根据权利要求3所述用于磁控溅射的掺氟氧化锡靶材的制备方法，其特征在于，所述无机锡化合物为无水结晶二氯化锡、结晶二氯化锡、无水和结晶四氯化锡中的一种或多种。

5.根据权利要求3所述用于磁控溅射的掺氟氧化锡靶材的制备方法，其特征在于，所述有机锡化合物为R_nSnX_4-n，其中，n=1-4，R为烷基、酯烷基或芳香基，X为无机酸根、有机酸根、羟基或卤素。

6.根据权利要求1所述用于磁控溅射的掺氟氧化锡靶材的制备方法，其特征在于，所述含氟化合物为氟化铵、氟化氢铵、氟化氢、三氟乙酸、三氟丙酸、三氟丁酸、三氟甲烷、三氟乙烷、三氟丙烷、三氟乙酸酐、十一氟已酸、十一氟己酸甲酯、五氟丙酸酐、四氟丙醇、五氟丙醇、三氟丁酸甲酯和乙基三氟丙酯中的一种或多种。

7.根据权利要求1所述用于磁控溅射的掺氟氧化锡靶材的制备方法，其特征在于，所述反应器内壁和衬底为玻璃、陶瓷、铜板、钛板、金板或铂板材质。

8.根据权利要求1所述用于磁控溅射的掺氟氧化锡靶材的制备方法，其特征在于，所述气化温度为100°C~400 °C；所述高温反应器中的温度为400 °C~900 °C。

9.根据权利要求1所述用于磁控溅射的掺氟氧化锡靶材的制备方法，其特征在于，所述载气为氮气和/或空气。

10.一种用于磁控溅射的掺氟氧化锡靶材，由权利要求1-9任意一项所述用于磁控溅射的掺氟氧化锡靶材的制备方法制备而成。