[发明专利]熔丝的制造方法和熔丝有效
| 申请号： | 201410049154.X | 申请日： | 2014-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN104835779B | 公开（公告）日： | 2017-11-07 |
| 发明（设计）人： | 崔金洪 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/525 |
| 代理公司： | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙)11343 | 代理人： | 尚志峰,汪海屏 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 方法 | ||
1.一种熔丝制造方法，其特征在于，包括：
在衬底的上方沉积钛层；
在所述钛层上沉积第一氮化钛层；
在所述第一氮化钛层上沉积厚金属层，所述厚金属层包括多个组合层，其中，每一所述组合层包括第一金属层和第二金属层，所述第一金属层的电阻率小于所述第二金属层的电阻率；
在所述厚金属层上，沉积第二氮化钛层。
2.根据权利要求1所述的熔丝制造方法，其特征在于，所述第一金属层沉积在所述第二金属层上。
3.根据权利要求2所述的熔丝制造方法，其特征在于，所述第一金属层为铝层，所述第二金属层为氮化钛层。
4.根据权利要求1所述的熔丝制造方法，其特征在于，所述钛层的厚度为350埃～450埃。
5.根据权利要求1所述的熔丝制造方法，其特征在于，所述第一氮化钛层的厚度为700埃～900埃。
6.根据权利要求1所述的熔丝制造方法，其特征在于，所述第二氮化钛层的厚度为350埃～450埃。
7.根据权利要求3所述的熔丝制造方法，其特征在于，所述铝层的厚度大于等于3000埃且小于等于8000埃。
8.根据权利要求3所述的熔丝制造方法，其特征在于，所述氮化钛层的厚度大于等于400埃且小于等于600埃。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的熔丝制造方法，其特征在于，还包括：
在所述第二氮化钛层上，沉积氧化硅层。
10.一种熔丝，其特征在于，所述熔丝由如权利要求1至9中任一项所述的熔丝制造方法制作而成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
