[发明专利]利用自对准双图案化技术于网格外布线结构的方法

权利要求书

1.一种方法，包含：

在基底上提供硬掩模；

在该硬掩模上提供多个第一心轴；

在各该第一心轴的各侧上提供第一分隔物；

提供与该等第一心轴分开并且介于两个该等第一分隔物之间的该基底的多个第一非心轴区，该第一心轴、第一非心轴区和第一分隔物各具有等于一距离的宽度；以及

提供宽度为该距离至少两倍并且藉由第二分隔物与该等第一非心轴区的其中一者分开的第二心轴及/或提供宽度为该距离至少两倍并且毗邻于该等第一分隔物或第三心轴的第三分隔物的至少其中一者以及与一个或多个阻挡掩模分开的第二非心轴区。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，设有该第二心轴，该方法更包含：

在该硬掩模上提供第四心轴；以及

提供介于该第二与第四心轴之间的一个或多个分隔物，该一个或多个分隔物覆盖该第二与第四心轴之间该硬掩模的整体上表面。

3.根据权利要求2所述的方法，更包含：

提供宽度至少等于该距离的该第四心轴，以及宽度为该距离两倍的该一个或多个分隔物。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，该一个或多个分隔物包含毗邻该第二心轴的第四分隔物以及毗邻该第四心轴的第五分隔物，各该第四与第五分隔物的宽度等于该距离。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，设有该第二非心轴区，该方法更包含：

在该第二非心轴区与该第一或第三分隔物的其中一者之间提供该等阻挡掩模的其中一者，该阻挡掩模防止蚀刻被该一个阻挡掩模所覆盖的该硬掩模的部份。

6.根据权利要求5所述的方法，更包含：

提供该第三心轴区，其宽度为至少该距离，以及具有宽度为该距离的该第三分隔物；以及

提供宽度为该距离至少三倍的该一个阻挡掩模。

7.根据权利要求1所述的方法，包含：

蚀刻该硬掩模，该等第一分隔物的每一个各自分隔物防止蚀刻被该各自分隔物所覆盖的一个或多个部份；

在蚀刻该硬掩模之后蚀刻该基底，该硬掩模防止蚀刻被该硬掩模所覆盖的部份；以及

在蚀刻该基底所形成的凹部中形成金属层。

8.根据权利要求7所述的方法，包含：

在蚀刻该硬掩模之前移除该等第一心轴，其中，心轴金属绕线是提供于先前被该等第一心轴的其中一者所覆盖的该硬掩模的一部分遭蚀刻所形成的凹部中，以及非金属绕线是形成于该等第一非心轴区域的其中一者中该硬掩模遭蚀刻所形成的凹部中。

9.一种装置，包含：

形成于基底上的集成电路(IC)；

在该基底上水平延伸并且置于以一距离所分开的多个等间隔垂直位置的其中一者上的多条金属绕线；以及

置于该等垂直位置的其中一者上并且垂直延伸到介于该一个垂直位置与另一垂直位置之间至少一中点上的该等金属绕线中的一条金属绕线。

10.根据权利要求9所述的装置，更包含：

置于该等垂直位置的毗邻该一个垂直位置的第二垂直位置上的该等金属绕线中的第二金属绕线。

11.根据权利要求10所述的装置，更包含：

置于该等垂直位置于三个垂直位置内距离该一个垂直位置的第三垂直位置上的该等金属绕线中的第三金属绕线，该第二与第三垂直位置是于该一个垂直位置的对立侧上。

12.根据权利要求11所述的装置，更包含：

由自对准双图案化(SADP)技术的心轴金属或非心轴金属择一所形成的该等金属绕线，其中，由心轴金属所形成的金属绕线彼此分开至少一个垂直位置，以及藉由非心轴金属所形成的金属绕线彼此分开至少一个垂直位置。

13.根据权利要求12所述的装置，更包含：

当该一条金属绕线由非心轴金属所形成时，置于距离该一个垂直位置有三个垂直位置的垂直位置上，以及当该一条金属绕线由心轴金属所形成时，置于距离一个垂直位置有两个垂直位置的垂直位置上的该等金属绕线的该第三金属绕线。

14.根据权利要求9所述的装置，更包含：

该等金属绕线在该IC的M1或M2层内。