[发明专利]半导体器件的制造方法和半导体器件在审
| 申请号： | 201410049266.5 | 申请日： | 2014-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN104835788A | 公开（公告）日： | 2015-08-12 |
| 发明（设计）人： | 崔金洪 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/265;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人： | 尚志峰;汪海屏 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
在形成有第一阱区和第二阱区的衬底结构上，分别通过所述第一阱区和所述第二阱区上的多晶硅窗口注入掺杂离子，以形成所述半导体器件的N-区和P-区；
在形成有所述N-区和所述P-区的衬底结构表面生长氧化层；
透过所述氧化层向所述N-区注入第一掺杂离子，以形成所述半导体器件的N+区，以及透过所述氧化层向所述P-区注入第二掺杂离子，以形成所述半导体器件的P+区。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述氧化层的厚度为1000埃至5000埃。
3.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述透过所述氧化层向所述N-区注入第一掺杂离子的步骤具体为：
在所述第二阱区上方的氧化层表面涂覆光刻胶；
透过所述氧化层向形成有所述N-区和所述P-区的衬底结构注入所述第一掺杂离子。
4.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述透过所述氧化层向所述P-区注入第二掺杂离子的步骤具体为：
在所述第一阱区上方的氧化层表面涂覆光刻胶；
透过所述氧化层向形成有所述N-区和所述P-区的衬底结构注入所述第二掺杂离子。
5.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，还包括：
在形成有所述第一阱区和所述第二阱区的衬底表面依次生长二氧化硅层、栅氧化层、多晶硅层和钨硅层；
刻蚀掉所述多晶硅窗口区域的所述钨硅层、所述多晶硅层和所述栅氧化层，以得到所述衬底结构。
6.根据权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述刻蚀为干法刻蚀和/或湿法刻蚀。
7.根据权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述衬底为单晶硅。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一掺杂离子为磷离子和/或砷离子，所述第二掺杂离子为硼离子。
9.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一阱区为P阱区，所述第二阱区为N阱区。
10.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件采用权利要求1至9中任一项所述的半导体器件的制造方法制造而成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
