[发明专利]检测方法及检测装置在审

专利信息
申请号: 201410049504.2 申请日: 2014-02-12
公开(公告)号: CN104122073A 公开(公告)日: 2014-10-29
发明(设计)人: 刘全丰;黄振勋;黄霈霖;李锡麟;蔡振法;张永昇 申请(专利权)人: 元太科技工业股份有限公司
主分类号: G01M11/02 分类号: G01M11/02;G02F1/13
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 代理人: 寿宁;张华辉
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 检测 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种检测方法,其特征在于包括:

提供像素阵列基板,该像素阵列基板包括多个像素单元;

提供光电检测元件;

令该光电检测元件与该像素阵列基板接触;

输入多个电气信号至该像素阵列基板的上述像素单元与该光电检测元件;以及

根据该光电检测元件的光学特性,判断该像素阵列基板的上述像素单元是否正常。

2.如权利要求1所述的检测方法,其特征在于其中每一该像素单元包括至少一主动元件以及与该至少一主动元件电性连接的像素电极,而今该光电检测元件与该像素阵列基板接触的步骤包括:

将该光电检测元件置于该像素阵列基板上,以使该光电检测元件与上述像素单元的上述像素电极接触。

3.如权利要求1所述的检测方法,其特征在于其中该光电检测元件包括基底以及位于该基底上的显示介质层,而令该光电检测元件与该像素阵列基板接触的步骤为:

将该光电检测元件置于该像素阵列基板上,以使该光电检测元件的该显示介质层与该像素阵列基板接触。

4.如权利要求1所述的检测方法,其特征在于其中该光电检测元件包括基底、位于该基底上的异方向性导电膜以及位于该异方向性导电膜与该基底之间的显示介质层,而令该光电检测元件与该像素阵列基板接触的步骤为:

将该光电检测元件置于该像素阵列基板上,以使该光电检测元件的该异方向性导电膜与该像素阵列基板接触。

5.如权利要求1所述的检测方法,其特征在于在令该光电检测元件与该像素阵列基板接触之后,更包括:

施加压力于固定该像素阵列基板以及该光电检测元件。

6.如权利要求1所述的检测方法,其特征在于其中该光电检测元件包括基底以及位于该基底上的显示介质层,而该显示介质层包括电子墨水层或有机发光二极管层。

7.如权利要求1所述的检测方法,其特征在于其中该光电检测元件包括基底、配置于该基底上的显示介质层以及配置于该基底与该显示介质层之间的共用电极层,而输入上述电气信号至该像素阵列基板的上述像素单元与该光电检测元件的步骤为:

输入上述电气信号至该像素阵列基板的上述像素单元以及该光电检测元件的该共用电极层。

8.如权利要求7所述的检测方法,其特征在于其中该像素阵列基板更包括共用电极端,而输入上述电气信号至该像素阵列基板的上述像素单元与该光电检测元件的步骤为:

输入上述电气信号至该像素阵列基板的上述像素单元以及该共用电极端,其中上述电气信号之一通过该共用电极端而传递至该光电检测元件的该共用电极层。

9.如权利要求1所述的检测方法,其特征在于其中该光电检测元件划分为多个检测区块,该像素阵列基板划分为分别包括上述像素单元的多个待测区块,令该光电检测元件与该像素阵列基板接触的步骤为令该光电检测元件的上述检测区块分别与该像素阵列基板的上述待测区域接触,而根据该光电检测元件的光学特性判断该像素阵列基板的上述像素单元是否正常的步骤为:

比较上述电气信号输入至该像素阵列基板的上述像素单元与该光电检测元件时该光电检测元件的上述检测区块的光学特性与上述检测区块的预期光学特性之间的差异,若该光电检测元件的上述检测区块之一的光学特性与上述检测区块的该一的预期光学特性不同,则判断与上述检测区块的该一接触的该待测区块的该像素单元异常。

10.一种检测装置,用于检测包括多个像素单元的像素阵列基板,其特征在于该检测装置包括:

光电检测元件,用于与该像素阵列基板接触;

信号源,用于输出多个电气信号至该像素阵列基板的上述像素单元与该光电检测元件;以及

分析单元,用于根据该光电检测元件的光学特性,判断该像素阵列基板的上述像素单元是否正常。

11.如权利要求10所述的检测装置,其特征在于更包括:

光侦测器,用于侦测该光电检测元件的光学特性,而该光侦测器所侦测到的该光电检测元件的光学特性传送至该分析单元。

12.如权利要求10所述的检测装置,其特征在于,用于检测包括上述像素单元的该像素阵列基板,而每一该像素单元包括至少一主动元件以及与该至少一主动元件电性连接的像素电极,其中该光电检测元件用于与上述像素单元的上述像素电极接触。

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