[发明专利]一种提高近红外高反膜激光损伤阈值的方法

权利要求书

1.一种提高近红外高反膜节瘤损伤阈值的方法，其特征在于该方法包括以下步骤：

根据来确定节瘤的几何结构，其中D是节瘤直径，d为种子源的直径，t为种子源的深度，即等于薄膜的厚度，为一个常数；

计算出各个尺寸的节瘤的张角，求出各种尺寸的节瘤的表面上的光的入射角度范围；

设计满足具有一定的光谱特性及具有一定角度宽度的高反射膜，保证所设计的高反膜的反射带角度宽度要大于节瘤的最大入射角；

将基板清洗干净，然后利用高纯氮气吹干后放入镀膜机；

本底真空度抽至1×10Pa以下，将基板加热至200度，并恒温80分钟；

电子束交替蒸发HfO2和SiO2；蒸镀时的氧分压为1.0×10Pa～3.0×10Pa，速率为0.05nm／s～0.4nm／s。

待真空室内温度自然冷却至室温后取出镀制好的样品。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于节瘤的几何尺寸满足。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于节瘤的几何尺寸满足。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于高反膜的物理厚度为9微米。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于四种尺寸的节瘤的最大张角为61.7°。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于设计的高反膜的反射带角度宽度为65°。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于蒸镀HfO2时的氧分压为3.0×10Pa，速率为0.05nm／s，蒸镀SiO2时的氧分压为1.0×10Pa，速率为0.4nm／s。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于高反膜采用电子束蒸发方法镀制。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所使用的蒸发材料是金属或氧化物。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述的基板是光学玻璃或者晶体。