[发明专利]一种变掺杂区的形成方法和装置

权利要求书

1.一种变掺杂区的形成方法，其特征在于，包括：

在源漏极形成后，在栅极和栅氧化层表面生长多层复合膜层，所述多层复合膜层包括至少两层不同材料的介质层：第一介质层和第二介质层，所述介质层因栅极的存在而形成相应的台阶；

在所述多层复合膜层上进行光刻刻蚀，露出所述第一介质层对应于栅极边缘到漏极边缘的表面，进行第一次离子注入，离子注入衬底的范围为所述第一介质层的台阶边缘至漏极边缘，形成第一变掺杂区；

腐蚀出所述第二介质层对应于栅极边缘到漏极边缘的表面，进行第二次离子注入，离子注入衬底的范围为所述第二介质层的台阶边缘至漏极边缘，形成第二变掺杂区；

腐蚀出所述栅氧化层对应于栅极边缘到漏极边缘的表面，进行第三次离子注入，离子注入衬底的范围为栅极边缘至漏极边缘，形成第三变掺杂区。

2.根据权利要求1所述的变掺杂区的形成方法，其特征在于，所述在栅极和栅氧化层表面生长多层复合膜层包括：

利用低压化学气相淀积的方法生长氮化硅层和氧化硅层的多层复合膜层，生长温度为600～800℃，每层厚度为0.1～0.5μm。

3.根据权利要求2所述的变掺杂区的形成方法，其特征在于：

所述第一介质层和第二介质层分别为：氮化硅层，或，氧化硅层。

4.根据权利要求1所述的变掺杂区的形成方法，其特征在于：

所述第一次离子注入、第二次离子注入和第三次离子注入的注入离子为磷离子，剂量为1.0E13～1.0E14个/cm，能量为150KEV～300KEV，注入能量随膜厚变化而变化，依次降低。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的变掺杂区的形成方法，其特征在于：

当所述多层复合膜层包括两层以上不同材料的介质层时，在所述形成第二变掺杂区之后，所述腐蚀出所述栅氧化层对应于栅极边缘到漏极边缘的表面之前，还包括：依次腐蚀出每一层介质层对应于栅极边缘到漏极边缘的表面并依次进行离子注入，离子注入衬底的范围为每一层介质层的台阶边缘至漏极边缘。