[发明专利]图像传感器和电子装置

权利要求书

1.一种图像传感器，包括形成为半导体芯片的多个单元像素，每个单元像素具有：光电转换部，

多个配线层，

电荷保持部，保持存储在该光电转换部中的电荷，并且p+型钉扎层设置在所述电荷保持部上，电荷保持部比光电转换部具有更高的杂质密度，

电荷电压转换部，将从该电荷保持部传输的电荷转换成电压，以及

遮光膜，其形成于该电荷保持部上方，其中

该多个单元像素在像素阵列中设置成矩阵，并且

其中，该电荷保持部与该光电转换部相邻，在截面图中，遮光膜的第一距离是当入射光的主光线的角度是第一方向时从电荷保持部的端部延伸到遮光膜在光电转换部上方的端部的距离，遮光膜的第二距离是当入射光的主光线的角度是第二方向时从电荷保持部的所述端部延伸到遮光膜在光电转换部上方的端部的距离，

其中，所述第一距离长于所述第二距离。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中在截面图中，遮光膜的第三距离是当入射光的主光线的角度是第三方向时从电荷保持部的端部延伸到遮光膜在光电转换部上方的端部的距离，

其中，所述第三距离短于所述第二距离。

3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中该半导体芯片的配线用于取代该遮光膜。

4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中在该像素阵列中的该单元像素的每个位置处，该遮光膜的形状和该半导体芯片的配线的形状根据入射在该光电转换部上的光的主光线指向的方向确定，并且设置该单元像素的芯片上透镜的位置还根据该主光线的方向变化。

5.一种具有图像传感器的电子装置，该图像传感器包括形成为半导体芯片的多个单元像素，每个单元像素具有：

光电转换部，

多个配线层，

电荷保持部，保持存储在该光电转换部中的电荷，并且p+型钉扎层设置在所述电荷保持部上，电荷保持部比光电转换部具有更高的杂质密度，

电荷电压转换部，将从该电荷保持部传输的电荷转换成电压，以及

遮光膜，其形成于该电荷保持部的上方，其中

该多个单元像素在像素阵列中设置成矩阵，并且

其中，该电荷保持部与该光电转换部相邻，在截面图中，遮光膜的第一距离是当入射光的主光线的角度是第一方向时从电荷保持部的端部延伸到遮光膜在光电转换部上方的端部的距离，遮光膜的第二距离是当入射光的主光线的角度是第二方向时从电荷保持部的所述端部延伸到遮光膜在光电转换部上方的端部的距离，

其中，所述第一距离长于所述第二距离。