[发明专利]一种湿法去除多晶硅的方法

说明书

技术领域

本发明涉及多晶硅清洗技术领域，尤其涉及一种湿法去除多晶硅的方法。

背景技术

在制备分光路器器件中，多晶硅作为阻挡层的制备过程如图1所示。根据图1，多晶硅作为石英基材的阻挡层制备过程具体为：首先在石英基材的一个表面进行二氧化硅的生长，另一个表面沉积多晶硅，在二氧化硅表面进行多晶硅沉积，在多晶硅表面进行光刻胶；再在光刻胶未定义的区域干法刻蚀多晶硅；然后去除光刻胶，并刻蚀石英基材表面的二氧化硅，最后去除二氧化硅表面的多晶硅以及石英基材另一面的多晶硅。

多晶硅作为刻蚀二氧化硅的阻挡层，当刻蚀完二氧化硅后需要去除石英片正反两面的多晶硅。由于多晶硅是由LPCVD氧化而成，晶圆的正反面都存在多晶硅，如果使用干法刻蚀只能刻蚀掉正面的多晶硅，无法将反面的多晶硅刻蚀掉，如果使用干法刻蚀反面的多晶硅需要将晶圆的正面朝向放入干法刻蚀机中，这样将会对晶圆的正面造成损伤，从而降低产品的成品率，但是如果不将背面的多晶硅去除，将会影响晶圆的应力，从而影响产品的PDL参数等，因此干法去除正反面的多晶硅方法是不可取的，需要采用湿法的方式去除正反两面的多晶硅。

目前湿法去除多晶硅一般采用酸性试剂，行业中采用硝酸和氢氟酸的混合液去除硅片上面的多晶硅，此方法相当成熟。但是分路器的基材是石英，石英的成分为二氧化硅，使用硝酸和氢氟酸的混合液将对基材造成损伤，同时也会腐蚀产品表面的二氧化硅，故此酸性的方法不可取。由此，本申请提供了一种湿法去除多晶硅的方法。

发明内容

本发明解决的技术问题在于提供一种湿法去除多晶硅的方法，采用本申请的方法能够有效去除石英基材表面的多晶硅，并且不会对基材造成损伤。

本申请提供了一种湿法去除多晶硅的方法，包括：

将第一晶圆置于氢氧化钾溶液中，反应后得到第二晶圆；所述第一晶圆包括依次叠加设置的第一多晶硅、二氧化硅、石英基材与第二多晶硅，所述第二晶圆包括依次叠加设置的二氧化硅与石英基材。

优选的，所述氢氧化钠溶液的温度为60℃～80℃。

优选的，所述氢氧化钾溶液的浓度为30wt%～35wt%。

优选的，得到第二晶圆后还包括：

将所述第二晶圆进行清洗，将清洗后的第二晶圆进行烘干。

优选的，所述反应的时间为30～40min。

本申请提供了一种湿法去除多晶硅的方法，包括：将含有多晶硅的石英基材置于氢氧化钾溶液中，反应后，即将石英基材表面的多晶硅去除。本申请采用氢氧化钾溶液去除石英基材表面的多晶硅，由于石英基材表面还生长着二氧化硅，并且石英基材的主要成分是二氧化硅，而氢氧化钾溶液并不会对石英基材以及石英基材表面的二氧化硅造成腐蚀，并且氢氧化钾溶液能够与多晶硅反应，将石英基材两个表面的多晶硅去除，因此本申请湿法去除多晶硅的方法能够有效去除石英基材表面的多晶硅，并且不会对石英基材造成损伤。

附图说明

图1为本发明多晶硅作为阻挡层的流程图；

图2为本发明多晶硅清洗前的SEM照片；

图3为本发明多晶硅清洗后的SEM照片。

具体实施方式

为了进一步理解本发明，下面结合实施例对本发明优选实施方案进行描述，但是应当理解，这些描述只是为进一步说明本发明的特征和优点，而不是对本发明权利要求的限制。

本发明实施例公开了一种湿法去除多晶硅的方法，包括：

将第一晶圆置于氢氧化钾溶液中，反应后得到第二晶圆；所述第一晶圆包括依次叠加设置的第一多晶硅、二氧化硅、石英基材与第二多晶硅，所述第二晶圆包括依次叠加设置的二氧化硅与石英基材。

如图1所示，图1为多晶硅作为石英基材阻挡层的步骤流程图。根据图1可知，在图1的步骤④中，在石英基材的一个表面生长有二氧化硅，在二氧化硅表面沉积有多晶硅，在石英基材的另一个表面设有多晶硅阻挡层，本申请通过湿法去除石英基材表面沉积的多晶硅，但同时不能对石英基材进行损伤。