[发明专利]去除虚拟栅极残留的方法在审
| 申请号： | 201410051757.3 | 申请日： | 2014-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN104851797A | 公开（公告）日： | 2015-08-19 |
| 发明（设计）人： | 刘佳磊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 去除 虚拟 栅极 残留 方法 | ||
1.一种去除虚拟栅极残留的方法，包括：
a.在衬底上形成栅极氧化物层；
b.在所述栅极氧化物上沉积锗作为虚拟栅极；
c.在所述虚拟栅极上形成器件结构并暴露该虚拟栅极的顶部；以及
d.选择性地去除所暴露的虚拟栅极。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤b中，被沉积的锗是 无定形锗或者无掺杂锗。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述步骤b中，所述锗的沉积 温度被控制于200℃至900℃之间。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤d进一步包括：通过湿 法蚀刻选择性地去除所暴露的虚拟栅极。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤d进一步包括：对所暴 露的虚拟栅极先进行干法蚀刻，然后进行湿法蚀刻。
6.如权利要求4或5所述的方法，其特征在于，所述湿法蚀刻包括：利用H2O2或者O3溶液选择性地去除所暴露的虚拟栅极。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述H2O2或者O3溶于去离子水 中。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述H2O2在所述去离子水中的浓 度为10ppm至10%之间，或者所述O3在所述去离子水中的浓度为0.1ppm至100 ppm之间。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述步骤d中，所述湿法蚀刻 的工艺温度在20℃至80℃之间。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法适用于后栅极工艺。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410051757.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体封装及其方法
- 下一篇：蚀刻方法和等离子体处理装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
