[发明专利]一种氮化硼纳米孔传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种氮化硼纳米孔传感器，其特征在于，包括基材，以及设置在基材上的氮化硼薄膜，所述氮化硼薄膜上设置有纳米孔，所述基材上设置有与所述纳米孔连通的通孔。

2.根据权利要求1所述的氮化硼纳米孔传感器，其特征在于，位于传感器的两侧还分别设置有电极。

3.根据权利要求2所述的氮化硼纳米孔传感器，其特征在于，所述电极为银或含银化合物。

4.根据权利要求1所述的氮化硼纳米孔传感器，其特征在于，所述基材为半导体材料。

5.根据权利要求4所述的氮化硼纳米孔传感器，其特征在于，所述基材为硅或者含硅化合物。

6.根据权利要求1所述的氮化硼纳米孔传感器，其特征在于，所述通孔的直径不大于1微米。

7.一种如权利要求1所述的氮化硼纳米孔传感器的制备方法，其特征在于，包括步骤：

步骤A：制备氮化硼薄膜；

步骤B：制备氮化硅薄膜，并在氮化硅薄膜上打通孔；

步骤C：将氮化硼薄膜转移到氮化硅薄膜上，并覆盖住所述通孔，然后在氮化硼薄膜开设与所述通孔连通的纳米孔。

8.根据权利要求7所述的氮化硼纳米孔传感器的制备方法，其特征在于，在步骤A中，采用在化学气相沉积的方法在铜衬底上生长二维氮化硼薄膜，然后采用三氯化铁试剂溶解铜衬底得到悬空氮化硼薄膜。

9.根据权利要求7所述的氮化硼纳米孔传感器的制备方法，其特征在于，在步骤B中，采用湿法刻蚀方法来制备氮化硅薄膜并有聚焦离子束在氮化硅薄膜上制备出1微米以下的通孔。

10.根据权利要求7所述的氮化硼纳米孔传感器的制备方法，其特征在于，在步骤C中，采用透射电子显微镜的聚焦电子束打在氮化硼薄膜上制备出氮化硼纳米孔。