[发明专利]双面显示器、双面显示器的控制装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201410051852.3 申请日: 2014-02-14
公开(公告)号: CN103886813A 公开(公告)日: 2014-06-25
发明(设计)人: 汪梅林;储培鸣;杨兆彬 申请(专利权)人: 上海和辉光电有限公司
主分类号: G09F9/33 分类号: G09F9/33;G09F9/37;G09G3/32;G09G3/34;H01L51/52;H01L27/32;H01L51/56
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 付永莉;黄艳
地址: 201500 上海市金山区*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 双面 显示器 控制 装置 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种双面显示器,包括OLED基板、位于OLED基板相对侧的封装基板以及夹置于所述OLED基板与所述封装基板之间的胶材,其特征在于,所述封装基板为电泳膜,所述电泳膜的未覆盖OLED基板的部分可实现所述双面显示器的一个面的显示,所述OLED基板实现所述双面显示器的相对另一个面的显示。

2.根据权利要求1所述的双面显示器,其特征在于,所述OLED基板和所述电泳膜的显示可分别进行或同时进行。

3.根据权利要求1所述的双面显示器,其特征在于,所述OLED基板载有OLED发光器件和有源矩阵薄膜晶体管。

4.根据权利要求1所述的双面显示器,其特征在于,所述OLED基板的材料可以为刚性也可以为柔性。

5.根据权利要求1所述的双面显示器,其特征在于,所述电泳膜可实现柔性显示。

6.一种如权利要求1所述的双面显示器的控制装置,包括第一开关薄膜晶体管(T1)、驱动用薄膜晶体管(T2),该第一开关薄膜晶体管(T1)的漏极接数据线、栅极接第一扫描控制线、源极接存储电容的一端和所述驱动用薄膜晶体管(T2)的栅极,其特征在于,该控制装置还包括第二开关薄膜晶体管(T3),该第二开关薄膜晶体管(T3)的漏极和数据线连接、栅极和第二扫描线连接、源极和该电泳膜的电极连接,该驱动用薄膜晶体管的栅极(T2)和该第一开关薄膜晶体管(T1)的源极连接、漏极和电源线连接、源极和该OLED基板的阳极连接。

7.如权利要求6所述的控制装置,其特征在于,该第一开关薄膜晶体管(T1)先打开时,电压通过该第一开关薄膜晶体管(T1)写入到该存储电容上,然后该第一开关薄膜晶体管(T1)关闭,该驱动用薄膜晶体管(T2)打开,电源线输入电流流过该OLED基板,使该OLED基板显示。

8.如权利要求7所述的控制装置,其特征在于,流过该OLED基板的电流大小通过数据电压的大小来控制。

9.如权利要求7所述的控制装置,其特征在于,该第一开关薄膜晶体管(T1)处于关且该第二开关薄膜晶体管(T3)处于打开的状态下,仅该电泳膜显示;该第一开关薄膜晶体管(T1)和该第二开关薄膜晶体管(T3)同时处于打开的状态下,该OLED基板和该电泳膜同时显示。

10.如权利要求6所述的控制装置,其特征在于,所述第一开关薄膜晶体管(T1)和所述第二开关薄膜晶体管(T3)共用一根数据线。

11.一种如权利要求1所述的双面显示器的制造方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:

在透明基板上沉积半导体层,并对其进行图案化;

在该图案化的半导体层上一次沉积第一绝缘层和第一金属层,并将该第一金属层进行图案化;

在该图案化后的金属层上沉积第二绝缘层,并对其进行图案化;

之后沉积第二金属层并将其图案化;

在该图案化后的第二金属层的表面上形成一层平坦层,并对其进行图案化;

在该平坦层的表面上沉积像素电极层,该像素电极层的第一部分和驱动用薄膜晶体管的漏极相连接,为OLED基板的阳极,该像素电极层的第二部分和电泳膜的像素电极连接,以控制所述电泳膜的显示;

在该OLED基板上方依次蒸镀OLED发光材料和阴极材料,从而形成OLED器件;以及

之后用电泳膜封装。

12.根据权利要求11所述的双面显示器的制造方法,其特征在于,所述透明基板为玻璃基板。

13.根据权利要求11所述的双面显示器的制造方法,其特征在于,该半导体层可以是非晶硅、低温多晶硅、氧化物。

14.根据权利要求11所述的双面显示器的制造方法,其特征在于,用旋涂的方法形成该平坦层。

15.根据权利要求11所述的双面显示器的制造方法,其特征在于,该像素电极层的第一部分和该像素电极层的第二部分是相互独立的。

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