[发明专利]离子束刻蚀深度的监测方法无效
| 申请号： | 201410052343.2 | 申请日： | 2014-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN103824790A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 杨赛;盛斌;张大伟;唐庆勇;陈鹏 | 申请（专利权）人： | 上海理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人： | 郁旦蓉 |
| 地址： | 200093 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 离子束 刻蚀 深度 监测 方法 | ||
【权利要求书】：
1.离子束刻蚀深度的监测方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一：在石英晶振片的电极面上镀上一层标准材料作为镀膜层，得到镀膜石英晶振片；
步骤二：将所述镀膜石英晶振片与待刻蚀材料置入离子束刻蚀机中，并将所述镀膜石英晶振片与频率检测装置相连；
步骤三：同时对所述待刻蚀材料和所述镀膜层进行刻蚀，所述频率检测装置对所述镀膜层的刻蚀深度进行实时监控，当所述频率检测装置监测到所述镀膜层的刻蚀深度达到预定刻蚀深度时，停止刻蚀，得到符合目标刻蚀深度的刻蚀材料，
其中，所述预定刻蚀深度根据所述目标刻蚀深度以及所述标准材料和所述待刻蚀材料的刻蚀速率比，计算得到。
2.根据权利要求1所述的离子束刻蚀深度的监测方法，其特征在于：
其中，所述的频率检测装置通过监测所述镀膜石英晶振片的振荡频率，并对振荡频率的变化进行分析，计算得到所述镀膜层的刻蚀深度。
3.根据权利要求1所述的离子束刻蚀深度的监测方法，其特征在于：
其中，所述镀膜层的厚度大于所述预定刻蚀深度。
4.根据权利要求1所述的离子束刻蚀深度的监测方法，其特征在于：
其中，所述标准材料为铝膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海理工大学，未经上海理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410052343.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：茶盒
- 下一篇：阴阳离子双水解合成介孔γ-Al2O3的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
