[发明专利]半导体薄膜太阳能电池前后表面的混合陷光结构制备方法

权利要求书

1.一种半导体薄膜太阳能电池前后表面的混合陷光结构制备方法，包括以下步骤：

步骤1：在硅薄膜太阳能电池的上表面生长一层介质膜；

步骤2：在介质膜上生长一层金属纳米颗粒；

步骤3：在硅薄膜太阳能电池下表面刻蚀出二维纳米柱硅光栅结构；

步骤4：在二维纳米柱硅光栅结构上生长一层背电极；

步骤5：在背电极上生长一层背反射器层，完成制备。

2.根据权利要求1所述的半导体薄膜太阳能电池前后表面的混合陷光结构制备方法，其中所述的介质膜的材料为SiO₂、Si₃N₄、TiO₂或ITO，厚度为10nm-100nm。

3.根据权利要求1所述的半导体薄膜太阳能电池前后表面的混合陷光结构制备方法，其中所述的金属纳米颗粒的材料为Ag、Cu、Au或Al，直径为100nm-300nm，周期为100nm-600nm。

4.根据权利要求1所述的半导体薄膜太阳能电池前后表面的混合陷光结构制备方法，其中所述的二维纳米柱硅光栅结构的周期为600nm-1200nm，厚度为50nm-500nm。

5.根据权利要求1所述的半导体薄膜太阳能电池前后表面的混合陷光结构制备方法，其中所述的背电极的材料为ZnO-Al，厚度为100nm-500nm。

6.根据权利要求1所述的半导体薄膜太阳能电池前后表面的混合陷光结构制备方法，其中所述的背反射器层的材料为Ag或Al，厚度为10nm-300nm。