[发明专利]包含一层应力产生材料的电路组件及其形成方法

权利要求书

1.一种晶体管，包括：

源极区域、漏极区域、通道区域以及栅极电极；以及

一层应力产生材料，该应力产生材料提供响应作用在该应力产生材料上的信号而可调变的应力；

其中，该层应力产生材料是设置成在包括至少该通道区域的半导体区域提供应力，提供给该半导体区域的该应力响应作用在该应力产生材料上的信号而可调变。

2.如权利要求1所述的晶体管，其中，作用在该层应力产生材料上的该信号包含电场、电流以及磁场中的至少一者。

3.如权利要求2所述的晶体管，其中，该层应力产生材料包含压电材料、电致伸缩材料、磁致伸缩材料以及电流伸缩材料中的至少一者。

4.如权利要求1所述的晶体管，其中，该层应力产生材料包含电致伸缩材料以及压电材料中的至少一者，该晶体管包含至少一个应力控制电极邻接至该层应力产生材料，用于施加电场至该层应力产生材料，该电场提供该作用在该应力产生材料的信号。

5.如权利要求4所述的晶体管，其中，该至少一个应力控制电极包含第一及第二应力控制电极，是设在该层应力产生材料的相对二侧。

6.如权利要求4所述的晶体管，包含一个应力控制电极，设在该层应力产生材料的一侧，其是该栅极电极的相反侧，其中，在该栅极电极与该应力控制电极之间的电压差产生电场以提供作用在该应力产生材料上的信号。

7.如权利要求1所述的晶体管，其中，该层应力产生材料是形成在该源极区域、该漏极区域以及该栅极电极的上方。

8.如权利要求1所述的晶体管，其中，该源极区域、该漏极区域以及该通道区域是形成在半导体材料中，该栅极电极是形成在该半导体材料的上方，且该层应力产生材料是形成在该半导体材料及该栅极电极的上方。

9.如权利要求1所述的晶体管，其中，该应力产生材料具有应力迟滞，其中，在移除该信号之后，响应该信号而提供的该应力会保持至少一部分。

10.如权利要求9所述的晶体管，其中，该应力产生材料包含以下三者中的至少一者，[Pb(Zn_1/3Nb_2/3)O₃]_(1-x)-[PbTiO₃]_x，其中，x大于0并小于0.1、[Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃]_(1-x)-[PbTiO₃]_x，其中，x大于0并小于0.5、以及0.99[Bi_1/2(Na_0.82K_0.18)_1/2(Ti_1-xZr_x)O₃]-0.01LiSbO₃，其中，x位于从0到0.03的范围内。

11.如权利要求10所述的晶体管，其中，该应力产生材料包含[Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃]_(1-x)-[PbTiO₃]_x，其中，x位于从0.3到0.4的范围内。

12.如权利要求1所述的晶体管，其中，该应力产生材料具有实质上无应力迟滞。

13.如权利要求12所述的晶体管，其中，该应力产生材料包含Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃。

14.如权利要求1所述的晶体管，其中，该应力产生材料包含迟缓性铁电材料及压电陶瓷材料中的至少一者。