[发明专利]像素结构

权利要求书

1.一种像素结构，其特征在于包括：

基板；

主动元件，配置于该基板上，并包括栅极、通道、源极与漏极，该源极与该漏极连接于该通道并彼此分离，而该通道与该栅极在厚度方向上堆叠；

第二反射图案，电性连接至该主动元件的该漏极且具有多个第二贯孔；以及

第三反射图案，电性连接至该主动元件的该漏极，其中该第三反射图案堆叠于该第二反射图案上且覆盖该第二反射图案的所述第二贯孔，而该第二反射图案设置于该第三反射图案与该基板之间，且该第三反射图案为不透光的材料。

2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于该第三反射图案具有至少第三贯孔，而该第三反射图案的该第三贯孔暴露出该第二反射图案且在该厚度方向上与所述第二贯孔不重叠。

3.如权利要求2所述的像素结构，其特征在于该第二反射图案具有面向该基板的底面，每一该第二贯孔具有相对于该基板倾斜的斜面，该第二反射图案的底面与第二贯孔的斜面在该第二反射图案的材质内夹有第一角度，该第三反射图案具有面向该基板的底面，该第三贯孔具有相对于该基板倾斜的斜面，该第三反射图案的底面与该第三贯孔的斜面在该第三反射图案的材质内夹有第二角度，而该第一角度与该第二角度不同。

4.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于更包括：第二绝缘层，配置于该第二反射图案与该第三反射图案之间。

5.如权利要求4所述的像素结构，其特征在于该第二绝缘层具有多个第二接触窗，该第三反射图案填入所述第二接触窗而与该第二反射图案电性连接。

6.如权利要求5所述的像素结构，其特征在于该第二反射图案具有面向该基板的底面，每一该第二贯孔具有相对于该基板倾斜的斜面，该第二反射图案的底面与该第二贯孔的斜面在该第二反射图案的材质内夹有第一角度，该第二绝缘层具有面向该基板的底面，每一该第二接触窗具有相对于该基板倾斜的斜面，该第二绝缘层的底面与该第二接触窗的斜面在该第二绝缘层的材质内夹有第三角度，而该第一角度与该第三角度不同。

7.如权利要求5所述的像素结构，其特征在于该第三反射图案具有至少第三贯孔，而该第三贯孔暴露出该第二反射图案以及该第二绝缘层。

8.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于更包括：浮置通道层，配置于该第二反射图案与该基板之间且具有多个开口，其中该第二反射图案覆盖所述开口并堆叠于该浮置通道层上。

9.如权利要求8所述的像素结构，其特征在于该浮置通道层与该主动元件的该通道属于同一膜层。

10.如权利要求8所述的像素结构，其特征在于该第二反射图案具有面向该基板的底面，每一该第二贯孔具有相对于该基板倾斜的斜面，该第二反射图案的底面与该第二贯孔的斜面在该第二反射图案的材质内夹有第一角度，该浮置通道层的每一该开口具有相对于该基板倾斜的斜面，该浮置通道层具有面向该基板的底面，该开口的斜面在该浮置通道层的材质内与该浮置通道层的底面夹有第四角度，而该第一角度与该第四角度不同。

11.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于该第三反射图案与该第二反射图案接触。

12.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于该第二反射图案与该主动元件的该漏极属于同一膜层。

13.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于更包括：电容电极线，连接至参考电位，其中该电容电极线位于该基板与该第二反射图案之间，且该第二反射图案位于该第三反射图案与该电容电极线之间。

14.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于更包括：数据线以及扫描线，且该数据线与该源极连接，该扫描线与该栅极连接。

15.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于更包括：第一绝缘层，配置于该基板与该第二反射图案之间。

16.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于更包括：第一反射图案，与该主动元件的该栅极电性绝缘且属于同一膜层，该第一反射图案具有多个第一贯孔。