[发明专利]离子注入过程中的温度监控方法

权利要求书

1.一种离子注入过程中的温度监控方法，包括如下步骤：

启动离子注入过程；所述离子注入过程针对形成有光刻胶层的硅片，且所述硅片处于真空腔室内；

通过错误检测和分类系统实时监测离子注入过程中的真空度获知温度变化，并与预设的安全真空度范围进行比较；所述真空度用于反映硅片的温度；所述安全真空度范围是离子注入过程的与多个不同阶段分别对应的多个范围；

若实时监测的真空度在所述安全真空度范围之外，则执行警示响应。

2.根据权利要求1所述的离子注入过程中的温度监控方法，其特征在于，所述安全真空度范围包括在离子注入过程的与多个不同阶段分别对应的多个范围。

3.根据权利要求1所述的离子注入过程中的温度监控方法，其特征在于，所述安全真空度范围为对应多个响应等级的多个范围。

4.根据权利要求1所述的离子注入过程中的温度监控方法，其特征在于，还包括预设所述安全真空度范围的步骤：

记录半导体工艺过程中的离子注入过程下的真空度；

获得所有记录中的正常工艺过程下的最低值和最高值确定所述安全真空度范围；

其中，所述正常工艺过程是指最终产品参数符合预设要求的工艺过程。

5.根据权利要求1所述的离子注入过程中的温度监控方法，其特征在于，所述安全真空度范围由错误检测与分类系统设置，所述错误检测与分类系统还负责执行所述警示响应。

6.根据权利要求4所述的离子注入过程中的温度监控方法，其特征在于，所述警示响应包括向预设的收件人发送电子邮件。

7.根据权利要求4所述的离子注入过程中的温度监控方法，其特征在于，若实时监测的真空度在所述安全真空度范围之外，还执行保护响应，包括：

暂停产品生产、停止注入或停机台的响应方式中的一种或两种以上。