[发明专利]半导体装置及半导体模块

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

半导体元件，具有第1面以及与第1面相反的一侧的第2面；和

含铬(Cr)的金属膜，设置在上述半导体元件的上述第2面。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述半导体元件含有动作确保温度比硅(Si)的动作确保温度高的材料。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

上述材料含有硅碳化物(SiC)及氮化镓(GaN)中的某1种。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述金属膜具有：

含铬(Cr)的第1膜，设置在最表面侧；和

第2膜，设置在上述第1膜与上述第2面之间。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

上述第2膜含有从由钛(Ti)、铝(Al)、金(Au)、锡(Sn)、镍(Ni)、银(Ag)构成的组中选择的至少1种。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

上述第2膜是多层膜，上述多层膜中的至少1个膜含有从由钛(Ti)、铝(Al)、金(Au)、锡(Sn)、镍(Ni)、银(Ag)构成的组中选择的至少1种。

7.一种半导体模块，具备：

半导体装置，包括具有第1面及与第1面相反的一侧的第2面的半导体元件、以及设置在上述半导体元件的上述第2面上且含铬(Cr)的金属膜；

基板，具有导体图案；以及

接合件，设置在上述金属膜与上述导体图案之间。

8.根据权利要求7所述的半导体模块，其中，

上述导体图案含有铜(Cu)。

9.根据权利要求7所述的半导体模块，其中，

上述接合件含有锡(Sn)或银(Ag)。

10.根据权利要求7所述的半导体模块，其中，

还具备中间层，该中间层设置在上述金属膜与上述导体图案之间，具有比上述导体图案的导热系数低的导热系数。

11.根据权利要求10所述的半导体模块，其中，

上述中间层含有不锈钢。

12.根据权利要求10所述的半导体模块，其中，

上述中间层具有中间部件和一对外侧部件，

上述中间部件由上述一对外侧部件夹持，

上述中间部件含有上述不锈钢，

上述外侧部件含有镍(Ni)。

13.根据权利要求10所述的半导体模块，其中，

在上述中间层的一部分设置有中空部。

14.根据权利要求13所述的半导体模块，其中，

上述中间层具有中间部件和一对外侧部件，

上述中间部件由上述一对外侧部件夹持，

在上述中间部件上设置有上述中空部。

15.根据权利要求14所述的半导体模块，其中，

上述中空部是设置在上述中间部件的孔。

16.根据权利要求7所述的半导体模块，其中，

上述半导体元件含有动作确保温度比硅(Si)的动作确保温度高的材料。

17.根据权利要求7所述的半导体模块，其中，

上述材料含有硅碳化物(SiC)及氮化镓(GaN)中的某1种。

18.根据权利要求7所述的半导体模块，其中，

上述金属膜具有：

含铬(Cr)的第1膜，设置在最表面侧；和

第2膜，设置在上述第1膜与上述第2面之间。

19.根据权利要求18所述的半导体模块，其中，

上述第2膜含有从由钛(Ti)、铝(Al)、金(Au)、锡(Sn)、镍(Ni)、银(Ag)构成的组中选择的至少1种。

20.根据权利要求18所述的半导体模块，其中，

上述第2膜是多层膜，上述多层膜中的至少1个膜含有从由钛(Ti)、铝(Al)、金(Au)、锡(Sn)、镍(Ni)、银(Ag)构成的组中选择的至少1种。