[发明专利]铌酸钾钠基无铅压电陶瓷材料有效
| 申请号： | 201410053549.7 | 申请日： | 2014-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN103771855A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 李国荣;吴睿林;陈智明;曾江涛;郑嘹赢;阮伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/495 | 分类号： | C04B35/495;C04B35/622 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 铌酸钾钠基无铅 压电 陶瓷材料 | ||
1.一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷材料，其特征在于，所述陶瓷材料的化学组成为xBaZrO3-yBi(Mg0.5Ti0.5)O3-(1-x-y)(K0.45Na0.55-zLiz)NbO3，其中0<x≤0.1，0<y≤0.1，0.05≤z≤0.08。
2.根据权利要求1所述的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷材料，其特征在于，0.03≤x≤0.09。
3.根据权利要求2所述的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷材料，其特征在于，0.06≤x≤0.08。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷材料，其特征在于，0.01≤y≤0.03。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷材料，其特征在于，在室温下，所述铌酸钾钠基无铅压电陶瓷材料中的(K0.45Na0.55-zLiz)NbO3组分和BaZrO3组分能够形成三方-四方准同型相界。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷材料，其特征在于，所述铌酸钾钠基无铅压电陶瓷材料的压电常数d33为119pC/N以上。
7.根据权利要求6所述的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷材料，其特征在于，所述铌酸钾钠基无铅压电陶瓷材料的压电常数d33为119pC/N～225pC/N。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷材料，其特征在于，所述铌酸钾钠基无铅压电陶瓷材料的平面机电耦合系数kp为29.3%以上。
9.根据权利要求8所述的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷材料，其特征在于，所述铌酸钾钠基无铅压电陶瓷材料的平面机电耦合系数kp为29.3%～41.5%。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷材料，其特征在于，所述铌酸钾钠基无铅压电陶瓷材料的居里温度在270℃以上。
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