[发明专利]一种陶瓷电容失效的分析方法

权利要求书

1.一种陶瓷电容失效的分析方法，其特征在于，包括：

对待分析的陶瓷电容进行阻值测试，将测得的阻值记为初始阻值，并根据所述初始阻值判断所述待分析的陶瓷电容的失效状态；

将所述待分析的陶瓷电容制成金相切片样品，研磨，在研磨过程中对阻值进行实时测试，并将测得的阻值记为测试值；

当所述测试值的变化量超过所述初始阻值的10%时，停止研磨，定位观察所述待分析的陶瓷电容的缺陷部位；

对所述缺陷部位进行综合分析，确定所述待分析的陶瓷电容的失效原因。

2.根据权利要求1所述的分析方法，其特征在于，所述将所述待分析的陶瓷电容制成金相切片样品包括：

对所述待分析的陶瓷电容的外部进行浇注后再制成金相切片样品。

3.根据权利要求2所述的分析方法，其特征在于，所述浇注是通过环氧树脂进行浇注。

4.根据权利要求1所述的分析方法，其特征在于，所述研磨为机械研磨。

5.根据权利要求4所述的分析方法，其特征在于，所述研磨包括：

先用300-800目金刚砂纸研磨至所述待分析的陶瓷电容的内部电极，再用800目或以上的金刚砂纸进行细磨。

6.根据权利要求1所述的分析方法，其特征在于，所述在研磨过程中对阻值进行实时测试为：

在用800目或以上的金刚砂纸对所述待分析的陶瓷电容的内部电极进行细磨时对阻值进行实时测试。

7.根据权利要求6所述的分析方法，其特征在于，所述实时测试为使用万用表对所述待分析的陶瓷电容的内部电极进行测试。

8.根据权利要求1所述的分析方法，其特征在于，所述定位观察所述待分析的陶瓷电容的缺陷部位包括：

先利用光诱导电阻变化分析技术对所述待分析的陶瓷电容的缺陷部位进行定位，然后将定位的缺陷部位置于金相显微镜下进行观察。

9.根据权利要求8所述的分析方法，其特征在于，所述置于金相显微镜下进行观察是在所述金相显微镜的暗场下进行观察。

10.根据权利要求1所述的分析方法，其特征在于，所述分析方法在所述对待分析的陶瓷电容进行阻值测试，将测得的阻值记为初始阻值之前还包括：

对所述待分析的陶瓷电容进行外观镜检，确认所述待分析的陶瓷电容的表面形貌。

11.根据权利要求1所述的分析方法，其特征在于，所述失效状态包括短路和漏电。