[发明专利]用于等离子体晶片处理的混合边缘环

权利要求书

1.一种用于等离子体处理室的边缘环组件，其包括：

射频导电环，其被定位在底板的环形表面上，并被配置为包围所述底板的上部且在被定位在所述底板的上表面上的晶片的外缘下面延伸；以及

晶片边缘保护环，其被定位在所述射频导电环的上表面的上方，并且被配置为在所述晶片的外缘上延伸，所述晶片边缘保护环具有被配置为在所述晶片的外缘上延伸的厚度均匀的内缘部分、从所述内缘部分向外延伸到水平上表面的圆锥形上表面以及被定位在所述射频导电环的上表面上并且被配置为在所述晶片的外缘上延伸的内环槽。

2.如权利要求1所述的组件，包括：

底环，其被配置为支撑在所述底板的环形表面上并且被定位在所述射频导电环与所述底板的环形表面之间。

3.如权利要求1所述的组件，其中，所述射频导电环在其内部具有环槽，所述环槽被配置为在所述晶片的外缘下面延伸。

4.如权利要求1所述的组件，其中，所述晶片边缘保护环具有中央环槽和至少三个凹槽，所述中央环槽被配置为接收定心环，并且所述至少三个凹槽中的每一个被配置为接收陶瓷升降杆，所述陶瓷升降杆在晶片转移期间使所述晶片边缘保护环向上升起。

5.如权利要求1所述的组件，其中，所述晶片边缘保护环的内缘部分具有约0.030英寸至0.060英寸的厚度。

6.如权利要求1所述的组件，其中，所述晶片边缘保护环被配置为在所述晶片的外缘上延伸约0.5mm至3.0mm。

7.如权利要求1所述的组件，其中，所述晶片边缘保护环不与所述晶片接触。

8.如权利要求2所述的组件，其包括：

石英环，其包围所述底板的外表面和所述底环的外缘。

9.如权利要求8所述的组件，其包括：

定心环，其包围所述石英环的外缘并且向上延伸到所述晶片边缘保护环内的中央环槽中。

10.如权利要求1所述的组件，其中，所述射频导电环是由碳化硅（SiC）制成的并且具有小于约100Ohm-cm的电阻率。

11.如权利要求1所述的组件，其中，所述射频导电环是由掺杂硅（Si）制成的。

12.如权利要求1所述的组件，其中，所述晶片边缘保护环是由射频导电材料制成的。

13.如权利要求2所述的组件，其中，所述底环是铝环。

14.如权利要求2所述的组件，其中，所述底环是阳极氧化铝环。

15.一种用于等离子体处理室的下电极组件，其包括：

底板，其被配置为将晶片接收在其上表面上；

底环，其被支撑在所述底板的环形表面上并且包围所述底板；

射频导电环，其被定位在所述底环的上表面上，并包围所述底板的上部且被配置为在被定位在所述底板的上表面上的晶片的外缘下面延伸；

晶片边缘保护环，其被定位在所述射频导电环的上表面的上方并且被配置为在所述晶片的外缘上延伸；

石英环，其包围所述底板的外表面和所述底环的外缘；以及

定心环，其包围所述石英环的外缘并且向上延伸到所述晶片边缘保护环内的中央环槽。

16.如权利要求15所述的下电极组件，其中，所述射频导电环在其内部具有环槽，所述环槽被配置为在所述晶片的外缘下面延伸。

17.如权利要求15所述的下电极组件，其中，所述晶片边缘保护环具有厚度均匀的内缘部分，所述内缘部分被配置为在所述晶片的外缘上延伸。

18.如权利要求17所述的下电极组件，其中，所述晶片边缘保护环具有：圆锥形上表面，其从所述内缘部分向外延伸到水平上表面；内环槽，其被定位在所述射频导电环的上表面上并且被配置为在所述晶片的上缘上延伸；以及至少三个凹槽，所述至少三个凹槽中的每一个被配置为接收陶瓷升降杆，所述陶瓷升降杆在晶片转移期间使所述晶片边缘保护环向上升起。

19.如权利要求15所述的下电极组件，其中，所述晶片边缘保护环的内缘部分具有约0.030英寸至0.060英寸的厚度。

20.如权利要求15所述的下电极组件，其中，所述晶片边缘保护环被配置为在所述晶片的外缘上延伸约0.5mm至3.0mm。