[发明专利]一种小分子微阵列及其制备方法

权利要求书

1.一种小分子微阵列的制备方法，其特征在于，包括：

（1）在芯片基底上修饰带羟基末端的抗非特异性吸附材料；

（2）将带羧基末端和可光交联官能团的小分子光交联剂通过酯化反应键合到所述带羟基末端的抗非特异性吸附材料上；

（3）将小分子溶液点样到步骤（2）所得芯片表面，干燥后，进行光交联，得到小分子微阵列芯片。

2.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，步骤（1）所述芯片基底选自玻璃、硅片、石英、高分子类薄膜、金属薄膜和金属氧化物薄膜；

优选地，所述高分子类薄膜为聚二甲基硅氧烷、聚苯乙烯、聚碳酸酯或聚甲基丙烯酸甲酯中的任意一种；

优选地，所述金属薄膜为金膜或银膜；

优选地，所述金属氧化物薄膜为三氧化二铝膜。

3.根据权利要求1或2所述制备方法，其特征在于，步骤（1）所述带羟基末端的抗非特异性吸附材料为烷基硫醇、带羟基末端的高分子表面或超分子自组装表面；

优选地，所述烷基硫醇为带有聚乙二醇链段的烷硫醇；

优选地，所述高分子表面为聚乙二醇或其衍生物、带羟基末端的含氟聚合物、葡聚糖、纤维素或其衍生物或带羟基末端的两性离子聚合物表面；

优选地，所述超分子自组装表面为聚轮烷表面。

4.根据权利要求1-3任一项所述制备方法，其特征在于，步骤（1）中，所述带羟基末端的抗非特异性吸附材料为刷状PEG；

优选地，在芯片基底上修饰刷状PEG的方法为：

（1’）使用引发剂溶液处理芯片基底；

优选地，所述引发剂为单巯基卤代硫醇溶液；进一步优选地，所述单巯基卤代硫醇溶液的浓度为0.1～100mM、优选0.1mM～10mM、更优选1mM；更进一步优选地，所述单巯基卤代硫醇溶液还包含单巯基聚乙二醇；

优选地，使用引发剂溶液处理芯片基底的方法如下：将相同浓度且各为0.1～100mM、优选0.1mM～10mM、更优选1mM的单巯基聚乙二醇和单巯基卤代硫醇的乙醇溶液，以（0～999）：1、优选（0～99）：1、更优选99:1的体积比均匀混合，铺到所述基底表面；

（2’）步骤（1’）所得芯片浸泡在含有机还原剂、聚合反应催化剂和PEG的烯类单体的溶液中，无氧环境下进行单体聚合反应即得；

优选地，所述有机还原剂为葡萄糖、抗坏血酸或辛酸亚锡；进一步优选地，所述有机还原剂的含量为1nM～1mM、优选为1nM～0.1mM、更优选为0.04mM；

优选地，所述聚合反应催化剂为过渡金属盐和螯合剂的混合物，所述过渡金属盐优选铁盐或铜盐；所述螯合剂优选为二联吡啶；进一步优选地，所述过渡金属盐的含量为1nM～1mM、优选为1nM～0.1mM、更优选为0.04mM；所述螯合剂的含量为1nM～100mM、优选为1nM～1mM、更优选为0.8mM；

优选地，所述PEG的烯类单体为甲基丙烯酸聚乙二醇酯；进一步优选地，所述PEG的烯类单体的含量为1mM～1M、优选为1mM～100mM、更优选为5mM；

优选地，所述高分子生长的时间为1～40小时、优选1～20小时、更优选18小时。